A peça de vedação cerâmica SiC da Semicera foi projetada para a indústria de fabricação de semicondutores, proporcionando excelente desempenho de vedação e durabilidade. Ele usa material de carboneto de silício (SiC) de alta qualidade, combinado com alumina (Al2O3) e nitreto de silício (Si3N4), para garantir desempenho confiável em ambientes agressivos e de alta temperatura, e é amplamente utilizado em barcos e transportadores de wafer.
A peça de vedação cerâmica SiC desenvolvida pela Semicera foi projetada para atender aos altos padrões da fabricação moderna de semicondutores. Esta peça de vedação utiliza material de carboneto de silício (SiC) de alto desempenho com excelente resistência ao desgaste e estabilidade química para garantir excelente desempenho de vedação em ambientes extremos. Combinada com óxido de alumínio (Al2O3) e nitreto de silício (Si3N4), esta peça tem um bom desempenho em aplicações de alta temperatura e pode prevenir eficazmente vazamentos de gases e líquidos.
Quando usada em conjunto com equipamentos como barcos e transportadores de wafer, a peça de vedação cerâmica SiC da Semicera pode melhorar significativamente a eficiência e a confiabilidade do sistema geral. Sua resistência superior à temperatura e à corrosão o tornam um componente indispensável na fabricação de semicondutores de alta precisão, garantindo estabilidade e segurança durante o processo de produção.
Além disso, o design desta peça de vedação foi cuidadosamente otimizado para garantir compatibilidade com uma variedade de equipamentos, facilitando seu uso em diferentes linhas de produção. A equipa de I&D da Semicera continua a trabalhar arduamente para promover a inovação tecnológica para garantir a competitividade dos seus produtos na indústria.
Escolhendo a peça de vedação cerâmica SiC da Semicera, você obterá uma combinação de alto desempenho e confiabilidade, ajudando a obter processos de produção mais eficientes e excelente qualidade de produto. A Semicera está sempre comprometida em fornecer aos clientes as melhores soluções e serviços de semicondutores para promover o desenvolvimento e progresso contínuo da indústria.
✓Alta qualidade no mercado chinês
✓Bom serviço sempre para você, 7*24 horas
✓Data de entrega curta
✓Pequeno MOQ bem-vindo e aceito
✓Serviços personalizados
Susceptor de Crescimento Epitaxia
Os wafers de silício/carboneto de silício precisam passar por vários processos para serem usados em dispositivos eletrônicos. Um processo importante é a epitaxia de silício/sic, na qual wafers de silício/sic são transportados sobre uma base de grafite. As vantagens especiais da base de grafite revestida com carboneto de silício da Semicera incluem pureza extremamente alta, revestimento uniforme e vida útil extremamente longa. Eles também possuem alta resistência química e estabilidade térmica.
Produção de chips LED
Durante o extenso revestimento do reator MOCVD, a base ou transportador planetário move o wafer do substrato. O desempenho do material base tem grande influência na qualidade do revestimento, o que por sua vez afeta a taxa de refugo do cavaco. A base revestida de carboneto de silício da Semicera aumenta a eficiência de fabricação de wafers de LED de alta qualidade e minimiza o desvio de comprimento de onda. Também fornecemos componentes adicionais de grafite para todos os reatores MOCVD atualmente em uso. Podemos revestir quase qualquer componente com um revestimento de carboneto de silício, mesmo que o diâmetro do componente seja de até 1,5M, ainda podemos revestir com carboneto de silício.
Campo Semicondutor, Processo de Difusão de Oxidação , etc.
No processo de semicondutores, o processo de expansão por oxidação requer alta pureza do produto, e na Semicera oferecemos serviços de revestimento personalizado e CVD para a maioria das peças de carboneto de silício.
A imagem a seguir mostra a pasta de carboneto de silício processada em bruto de Semicea e o tubo do forno de carboneto de silício que é limpo no 100 0 -nível livre de poeira sala. Nossos trabalhadores estão trabalhando antes do revestimento. A pureza do nosso carboneto de silício pode chegar a 99,99% e a pureza do revestimento sic é superior a 99,99995% .
