A Semicera oferece uma linha abrangente de susceptores e componentes de grafite projetados para vários reatores de epitaxia. Por meio de parcerias estratégicas com OEMs líderes do setor, ampla experiência em materiais e recursos avançados de fabricação, a Semicera oferece projetos personalizados para atender aos requisitos específicos de sua aplicação. Nosso compromisso com a excelência garante que você receba soluções ideais para suas necessidades de reatores epitaxiais.
Nossa empresa fornece serviços de processo de revestimento de SiC na superfície de grafite, cerâmica e outros materiais pelo método CVD, para que gases especiais contendo carbono e silício possam reagir em alta temperatura para obter moléculas de Sic de alta pureza, que podem ser depositadas na superfície de materiais revestidos para formar uma camada protetora de SiC para hipnóticos tipo barril de epitaxia.
Principais características:
1. Grafite revestida com SiC de alta pureza
2. Resistência superior ao calor e uniformidade térmica
3. Cristal SiC fino revestido para uma superfície lisa
4. Alta durabilidade contra limpeza química
Principais especificações do revestimento CVD-SIC
|
Propriedades SiC-CVD |
||
| Estrutura Cristalina | Fase β do FCC | |
| Densidade | g/cm³ | 3.21 |
| Dureza | Dureza Vickers | 2500 |
| Tamanho do grão | milímetros | 2~10 |
| Pureza Química | % | 99.99995 |
| Capacidade de calor | J·kg-1·K-1 | 640 |
| Temperatura de Sublimação | ℃ | 2700 |
| Força Felexural | MPa (TR 4 pontos) | 415 |
| Módulo de Young | Gpa (curvatura de 4 pontos, 1300°C) | 430 |
| Expansão Térmica (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Condutividade térmica | (W/mK) | 300 |
