A Semicera fornece um portfólio completo de susceptores de alto desempenho e componentes de grafite para uma ampla variedade de plataformas de reatores epitaxiais.
Aproveitando a forte colaboração com os principais fabricantes de equipamentos, profundo conhecimento em materiais avançados e tecnologias de fabricação de última geração, desenvolvemos soluções personalizadas adaptadas às demandas exclusivas de cada aplicação. Nosso foco em qualidade, precisão e confiabilidade nos permite oferecer suporte aos clientes com componentes otimizados que melhoram o desempenho do processo epitaxial e a eficiência operacional.
Nossa empresa é especializada no fornecimento de serviços de revestimento CVD SiC para grafite, cerâmica e outros materiais de substrato. Através do processo de Deposição Química de Vapor (CVD), gases precursores contendo silício e carbono reagem a temperaturas elevadas para gerar carboneto de silício (SiC) de alta pureza. O SiC resultante é depositado uniformemente na superfície do substrato, formando um revestimento de SiC denso e altamente protetor que aumenta a resistência à corrosão, ao desgaste e ao desempenho em altas temperaturas.
1. Grafite revestida com SiC de alta pureza, a pureza pode atingir o 99.99995%
2. Resistência superior ao calor e uniformidade térmica
3. Cristal SiC fino revestido para uma superfície lisa
4. Alta durabilidade contra limpeza química
| Propriedades SiC-CVD | ||
| Estrutura Cristalina | Fase β do FCC | |
| Densidade | g/cm³ | 3.21 |
| Dureza | Dureza Vickers | 2500 |
| Tamanho do grão | milímetros | 2~10 |
| Pureza Química | % | 99.99995 |
| Capacidade de calor | J·kg-1·K-1 | 640 |
| Temperatura de Sublimação | ℃ | 2700 |
| Força Felexural | MPa (TR 4 pontos) | 415 |
| Módulo de Young | Gpa (curvatura de 4 pontos, 1300°C) | 430 |
| Expansão Térmica (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Condutividade térmica | (W/mK) | 300 |
