A Semicera oferece uma ampla gama de susceptores e componentes de grafite projetados para vários reatores de epitaxia.
Através de parcerias estratégicas com OEMs líderes do setor, ampla experiência em materiais e recursos avançados de fabricação, a Semicera oferece projetos personalizados para atender aos requisitos específicos de sua aplicação. Nosso compromisso com a excelência garante que você receba soluções ideais para suas necessidades de reatores epitaxiais.
O revestimento CVD SiC apresenta uma microestrutura densa e uniforme, oferecendo excelente resistência a altas temperaturas, resistência à oxidação, inércia química e pureza ultra-alta. Apresenta excelente resistência a ácidos, álcalis e reagentes orgânicos, mantendo propriedades físicas e químicas estáveis sob condições operacionais exigentes.
Comparado com o grafite de alta pureza, que começa a oxidar a aproximadamente 400°C, o grafite revestido com SiC CVD oferece proteção significativamente melhorada contra a oxidação. A oxidação da grafite pode levar à geração de partículas, degradação do material, contaminação de câmaras de vácuo e equipamentos adjacentes e aumento dos níveis de impurezas em ambientes de processamento de alta pureza.
Em contraste, o revestimento de SiC permanece química e fisicamente estável em temperaturas de até 1600°C, protegendo efetivamente o substrato de grafite e prolongando a vida útil do componente. Essas vantagens tornam o grafite revestido com CVD SiC um material ideal para aplicações exigentes na fabricação de semicondutores, produção fotovoltaica, epitaxia, processos CVD e outros ambientes industriais de alta temperatura.
A Semicera é especializada em tecnologia de revestimento CVD SiC para grafite, cerâmica e outros componentes de precisão. O carboneto de silício de alta pureza é depositado na superfície do substrato por meio de um processo químico de deposição de vapor, formando uma camada protetora densa, sem poros e altamente aderente. Os componentes revestidos com SiC resultantes exibem excelente resistência a altas temperaturas, oxidação, corrosão e erosão química, ao mesmo tempo que mantêm pureza superior e estabilidade de longo prazo em ambientes exigentes de semicondutores e processos de alta temperatura.
Projetado para processos de epitaxia semicondutora, o susceptor de grafite revestido com SiC fornece excelente uniformidade térmica, resistência química e controle de contaminação para crescimento de wafer de alto desempenho.
1. Grafite revestida com SiC de alta pureza
2. Resistência superior ao calor e uniformidade térmica
3. Cristal SiC fino revestido para uma superfície lisa
4. Alta durabilidade contra limpeza química
| SiC-CVD | ||
| Densidade | (g/cc) | 3.21 |
| Resistência à flexão | (Mpa) | 470 |
| Expansão térmica | (10-6/K) | 4 |
| Condutividade térmica | (W/mK) | 300 |
Capacidade de fornecimento:
10.000 peças/peças por mês
Embalagem e entrega:
Embalagem: Embalagem Padrão e Forte
Saco poli + caixa + caixa + palete
Porta:
Ningbo/Shenzhen/Xangai
Tempo de espera:
| Quantidade (Peças) | 1 – 1000 | >1000 |
| Husa. Tempo (dias) | 15 | A ser negociado |
