A Semicera oferece epitaxia de SiC de filme fino personalizado (carboneto de silício) em substratos para o desenvolvimento de dispositivos de carboneto de silício. A Weitai está comprometida em fornecer produtos de qualidade e preços competitivos e esperamos ser seu parceiro de longo prazo na China.
Descrição do produto
4h-n 4 polegadas 6 polegadas dia100mm sic semente wafer 1mm de espessura para crescimento de lingote
Tamanho personalizado / 2 polegadas / 3 polegadas / 4 polegadas / 6 polegadas 6H-N / 4H-SEMI / 4H-N lingotes SIC / alta pureza 4H-N 4 polegadas 6 polegadas de diâmetro 150 mm de carboneto de silício único cristal (sic) wafers de substratoS / customizados como corte sic wafersProdução 4 polegadas grau 4H-N 1,5 mm SIC Wafers para cristal de semente
Sobre o cristal de carboneto de silício (SiC)
O carboneto de silício (SiC), também conhecido como carborundo, é um semicondutor contendo silício e carbono com fórmula química SiC. O SiC é usado em dispositivos eletrônicos semicondutores que operam em altas temperaturas ou altas tensões, ou ambos. O SiC também é um dos componentes importantes do LED, é um substrato popular para o cultivo de dispositivos GaN e também serve como dissipador de calor em LEDs de alta potência.
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Propriedade |
4H-SiC, Cristal Único |
6H-SiC, Cristal Único |
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Parâmetros de rede |
a = 3,076 Å c = 10,053 Å |
a = 3,073 Å c = 15,117 Å |
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Sequência de empilhamento |
ABCB |
ABCACB |
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Dureza de Mohs |
≈9.2 |
≈9.2 |
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Densidade |
3,21g/cm3 |
3,21g/cm3 |
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Termo. Coeficiente de Expansão |
4-5×10-6/K |
4-5×10-6/K |
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Índice de refração @750nm |
não = 2,61 |
não = 2,60 |
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Constante Dielétrica |
c~9,66 |
c~9,66 |
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Condutividade Térmica (tipo N, 0,02 ohm.cm) |
a~4,2 W/cm·K@298K |
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Condutividade Térmica (Semi-isolante) |
a~4,9 W/cm·K@298K |
a~4,6 W/cm·K@298K |
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Intervalo de banda |
3,23 eV |
3,02 eV |
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Campo Elétrico de Quebra |
3-5×106V/cm |
3-5×106V/cm |
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Velocidade de deriva de saturação |
2,0×105m/s |
2,0×105m/s |
