A pá de wafer cantilever de carboneto de silício Semicera oferece excepcional resistência e estabilidade térmica, tornando-a ideal para manuseio de wafer em alta temperatura. Com seu design projetado com precisão, este Wafer Paddle garante um desempenho confiável. A Semicera oferece entrega em 30 dias, atendendo às suas necessidades de produção com rapidez e eficiência.
O Paddle Wafer Cantilever Semicera SiC foi projetado para atender às demandas da fabricação moderna de semicondutores. Esta pá de wafer oferece excelente resistência mecânica e térmica, o que é fundamental para o manuseio de wafers em ambientes de alta temperatura.
O design cantilever de SiC permite a colocação precisa do wafer, reduzindo o risco de danos durante o manuseio. Sua alta condutividade térmica garante que o wafer permaneça estável mesmo sob condições extremas, o que é fundamental para manter a eficiência da produção.
Além de suas vantagens estruturais, o SiC Cantilever Wafer Paddle da Semicera também oferece vantagens em peso e durabilidade. A construção leve facilita o manuseio e a integração em sistemas existentes, enquanto o material SiC de alta densidade garante durabilidade sob condições exigentes.
|
Propriedades físicas do carboneto de silício recristalizado |
|
|
Propriedade |
Valor típico |
|
Temperatura de trabalho (°C) |
1600°C (com oxigênio), 1700°C (redução do ambiente) |
|
Conteúdo SiC |
> 99.96% |
|
Conteúdo Si grátis |
< 0.1% |
|
Densidade aparente |
2,60-2,70g/cm 3 |
|
Porosidade aparente |
< 16% |
|
Força de compressão |
> 600MPa |
|
Resistência à flexão a frio |
80-90MPa (20°C) |
|
Resistência à flexão a quente |
90-100MPa (1400°C) |
|
Expansão térmica @1500°C |
4.70 10 -6 /°C |
|
Condutividade térmica @1200°C |
23 W/m·K |
|
Módulo elástico |
240 GPa |
|
Resistência ao choque térmico |
Extremamente bom |
