Como um fabricante, fornecedor e exportador chinês profissional de Revestimento Cerâmico de Carboneto de Silício. O revestimento cerâmico de carboneto de silício da Semicera é amplamente utilizado em componentes-chave de equipamentos de fabricação de semicondutores, especialmente em processos de processamento como CVD e PECV. A Semicera está comprometida em fornecer tecnologia avançada e soluções de produtos para a indústria de semicondutores e agradece suas futuras consultas.
O revestimento cerâmico de carboneto de silício Semicera é um revestimento protetor de alto desempenho feito de material de carboneto de silício (SiC) extremamente duro e resistente ao desgaste. O revestimento é geralmente depositado na superfície do substrato pelo processo CVD ou PVD com partículas de carboneto de silício, proporcionando excelente resistência à corrosão química e estabilidade em altas temperaturas. Portanto, o revestimento cerâmico de carboneto de silício é amplamente utilizado em componentes-chave de equipamentos de fabricação de semicondutores.
Na fabricação de semicondutores, o revestimento de SiC pode suportar temperaturas extremamente altas de até 1600°C, portanto, o revestimento cerâmico de carboneto de silício é frequentemente usado como camada protetora para equipamentos ou ferramentas para evitar danos em ambientes corrosivos ou de alta temperatura.
Ao mesmo tempo, o revestimento cerâmico de carboneto de silício pode resistir à erosão de ácidos, álcalis, óxidos e outros reagentes químicos e possui alta resistência à corrosão a uma variedade de substâncias químicas. Portanto, este produto é adequado para diversos ambientes corrosivos na indústria de semicondutores.
Além disso, em comparação com outros materiais cerâmicos, o SiC tem maior condutividade térmica e pode conduzir calor de forma eficaz. Esta característica determina que em processos semicondutores que requerem controle preciso de temperatura, a alta condutividade térmica do Revestimento Cerâmico de Carboneto de Silício ajuda a dispersar uniformemente o calor, evitar o superaquecimento local e garantir que o dispositivo opere na temperatura ideal.
|
Propriedades físicas básicas do revestimento CVD sic |
|
|
Propriedade |
Valor típico |
|
Estrutura Cristalina |
FCC fase β policristalina, orientada principalmente (111) |
|
Densidade |
3,21g/cm³ |
|
Dureza |
Dureza Vickers 2500 (carga de 500g) |
|
Tamanho do grão |
2~10μm |
|
Pureza Química |
99.99995% |
|
Capacidade de calor |
640 J·kg -1 ·K -1 |
|
Temperatura de Sublimação |
2700℃ |
|
Resistência à Flexão |
415 MPa RT de 4 pontos |
|
Módulo de Young |
Curvatura de 430 Gpa 4 pontos, 1300℃ |
|
Condutividade Térmica |
300W·m -1 ·K -1 |
|
Expansão Térmica (CTE) |
4,5×10 -6 K -1 |
