Aquecedores revestidos com carboneto de silício

Silicon carbide heater is coated with metal oxide, that is, far infrared paint silicon carbide plate as a radiation element, in the element hole (or groove) into the electric heating wire, in the bottom of the silicon carbide plate put thicker insulation, refractory, heat insulation material, and then installed on the metal shell, the terminal can be used to connect the power supply.When the far infrared ray of the silicon carbide heater radiates to the object, it can absorb, reflect and pass through. The heated and dried material absorbs far-infrared radiation energy at a certain depth of internal and surface molecules at the same time, producing a self-heating effect, so that the solvent or water molecules evaporate and heat evenly, thus avoiding deformation and qualitative change due to different degrees of thermal expansion, so that the appearance of the material, physical and mechanical properties, fastness and color remain intact.

Descrição

Our company provides SiC coating process services by CVD method on the surface of graphite, ceramics and other materials, so that special gases containing carbon and silicon react at high temperature to obtain high purity SiC molecules, molecules deposited on the surface of the coated materials, forming SIC protective layer.

SiC Heating Element (17)

SiC Heating Element (22)

SiC Heating Element (23)

Principais características

1. Resistência a oxidação de alta temperatura:
A resistência da oxidação ainda é muito boa quando a temperatura é tão alta quanto 1600 C.
2. Alta pureza: feita por deposição de vapor químico sob condição de cloração de alta temperatura.
3. Resistência à erosão: alta dureza, superfície compacta, partículas finas.
4. Resistência à corrosão: ácido, álcalis, sal e reagentes orgânicos.

Principais especificações do revestimento CVD-SIC

Propriedades SIC-CVD

Estrutura cristalina Fase β da FCC
Densidade g/cm ³ 3.21
Dureza Vickers dureza 2500
Tamanho de grão mm 2~10
Pureza química % 99.99995
Capacidade de calor J · kg-1 · k-1 640
Temperatura da sublimação 2700
Força felexural MPA (RT 4 pontos) 415
Módulo de Young GPA (4pt Bend, 1300 ℃) 430
Expansão térmica (CTE) 10-6K-1 4.5
Condutividade térmica (W/mk) 300

Local de trabalho semicera

Local de trabalho semicera 2

Máquina de equipamentos

Processamento da CNN, limpeza química, revestimento de CVD

Ware House Semicera

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