O susceptor de wafer de carboneto de silício (SiC) é um dos principais componentes usados no processo de deposição de vapor químico orgânico metálico (MOCVD). Sua principal função é monitorar e controlar parâmetros-chave no processo MOCVD para garantir a qualidade de crescimento e uniformidade do filme fino.
Os susceptores wafer de carboneto de silício (SiC) para MOCVD da semicera são projetados para processos epitaxiais avançados, oferecendo desempenho superior para aplicações Si Epitaxy e SiC Epitaxy. A abordagem inovadora da Semicera garante que esses susceptores sejam duráveis e eficientes, proporcionando estabilidade e precisão para operações críticas de fabricação.
Projetados para atender às complexas necessidades dos sistemas Susceptor MOCVD, esses produtos são versáteis e compatíveis com transportadores como PSS Etching Carrier, ICP Etching Carrier e RTP Carrier. Sua flexibilidade os torna adequados para indústrias de alta tecnologia, incluindo aquelas que trabalham com Susceptor Epitaxial de LED e Silício Monocristalino.
Com múltiplas configurações, incluindo Barrel Susceptor e Pancake Susceptor, esses susceptores wafer também são essenciais no setor fotovoltaico, apoiando a fabricação de peças fotovoltaicas. Para fabricantes de semicondutores, a capacidade de lidar com processos GaN em SiC Epitaxy torna esses susceptores altamente valiosos para garantir saída de alta qualidade em uma ampla gama de aplicações.
1. Grafite revestida com SiC de alta pureza
2. Resistência superior ao calor e uniformidade térmica
3. Cristal SiC fino revestido para uma superfície lisa
4. Alta durabilidade contra limpeza química
| SiC-CVD | ||
| Densidade | (g/cc) | 3.21 |
| Resistência à flexão | (MPa) | 470 |
| Expansão térmica | (10-6/K) | 4 |
| Condutividade térmica | (W/mK) | 300 |
Capacidade de fornecimento:
10.000 peças/peças por mês
Embalagem e entrega:
Embalagem: embalagem padrão e forte
Saco poli + caixa + caixa + palete
Porta:
Ningbo/Shenzhen/Xangai
Tempo de espera:
|
Quantidade (Peças) |
1-1000 |
>1000 |
| Husa. Tempo (dias) | 30 | A ser negociado |
