Semicera Energy Technology Co., Ltd. é um fornecedor líder especializado em wafer e consumíveis semicondutores avançados. Estamos dedicados a fornecer produtos de alta qualidade, confiáveis e inovadores para fabricação de semicondutores, indústria fotovoltaica e outros campos relacionados. Nossa linha de produtos inclui produtos de grafite revestidos com SiC / TaC e produtos cerâmicos, abrangendo vários materiais, como carboneto de silício, nitreto de silício e óxido de alumínio e etc. O comprimento máximo do revestimento de SiC que podemos fazer é de 2.640 mm.
O material de cristal único de carboneto de silício (SiC) tem uma grande largura de banda (~Si 3 vezes), alta condutividade térmica (~Si 3,3 vezes ou GaAs 10 vezes), alta taxa de migração de saturação de elétrons (~Si 2,5 vezes), campo elétrico de alta decomposição (~Si 10 vezes ou GaAs 5 vezes) e outras características excelentes.
Os dispositivos SiC têm vantagens insubstituíveis no campo de dispositivos eletrônicos de alta temperatura, alta pressão, alta frequência, alta potência e aplicações ambientais extremas, como aeroespacial, militar, energia nuclear, etc., compensam os defeitos dos dispositivos de materiais semicondutores tradicionais em aplicações práticas e estão gradualmente se tornando a corrente principal dos semicondutores de potência.
Especificações do substrato de carboneto de silício 4H-SiC
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Item |
Parâmetros de especificações |
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Politipo |
4H-SiC |
6H- SiC |
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Diâmetro |
2 polegadas | 3 polegadas | 4 polegadas | 6 polegadas |
2 polegadas | 3 polegadas | 4 polegadas | 6 polegadas |
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Grossura |
330 μm ~ 350 μm |
330 μm ~ 350 μm |
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Condutividade |
N – tipo / Semi-isolante |
N – tipo / Semi-isolante |
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Dopante |
N2 (nitrogênio) V (vanádio) |
N2 (Nitrogênio) V (Vanádio) |
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Orientação |
No eixo <0001> |
No eixo <0001> |
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Resistividade |
0,015 ~ 0,03 ohm-cm |
0,02 ~ 0,1 ohm-cm |
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Densidade de microtubos (MPD) |
≤10/cm2 ~ ≤1/cm2 |
≤10/cm2 ~ ≤1/cm2 |
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TTV |
≤ 15 µm |
≤ 15 µm |
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Arco / Urdidura |
≤25 µm |
≤25 µm |
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Superfície |
DSP/SSP |
DSP/SSP |
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Nota |
Grau de produção/pesquisa |
Grau de produção/pesquisa |
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Sequência de empilhamento de cristal |
ABCB |
ABCABC |
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Parâmetro de rede |
a = 3,076A, c = 10,053A |
a = 3,073A, c = 15,117A |
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Por exemplo/eV (banda gap) |
3,27 eV |
3,02 eV |
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ε (constante dielétrica) |
9.6 |
9.66 |
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Índice de refração |
n0 =2,719 ne =2,777 |
n0 =2,707, ne =2,755 |
Especificações do substrato de carboneto de silício 6H-SiC
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Item |
Parâmetros de especificações |
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Politipo |
6H-SiC |
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Diâmetro |
4 polegadas | 6 polegadas |
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Grossura |
350μm ~ 450μm |
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Condutividade |
N – tipo / Semi-isolante |
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Dopante |
N2 (nitrogênio) |
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Orientação |
<0001> desligado 4°± 0,5° |
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Resistividade |
0,02 ~ 0,1 ohm-cm |
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Densidade de microtubos (MPD) |
≤ 10/cm2 |
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TTV |
≤ 15 µm |
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Arco / Urdidura |
≤25 µm |
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Superfície |
Si Face: CMP, Epi-Ready |
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Nota |
Nota de pesquisa |
