O Filme de Silício da Semicera é um material de alto desempenho projetado para uma variedade de aplicações avançadas nas indústrias de semicondutores e eletrônica. Feito de silício de alta qualidade, este filme oferece uniformidade, estabilidade térmica e propriedades elétricas excepcionais, tornando-o uma solução ideal para deposição de filmes finos, MEMS (sistemas microeletromecânicos) e fabricação de dispositivos semicondutores.
O Filme de Silício da Semicera é um material de alta qualidade projetado com precisão, projetado para atender aos rigorosos requisitos da indústria de semicondutores. Fabricada a partir de silício puro, esta solução de película fina oferece excelente uniformidade, alta pureza e propriedades elétricas e térmicas excepcionais. É ideal para uso em diversas aplicações de semicondutores, incluindo a produção de Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate e Epi-Wafer. O Filme de Silício da Semicera garante desempenho confiável e consistente, tornando-o um material essencial para microeletrônica avançada.
Qualidade e desempenho superiores para fabricação de semicondutores
O filme de silício da Semicera é conhecido por sua excelente resistência mecânica, alta estabilidade térmica e baixas taxas de defeitos, fatores cruciais na fabricação de semicondutores de alto desempenho. Quer seja usado na produção de dispositivos de óxido de gálio (Ga2O3), AlN Wafer ou Epi-Wafers, o filme fornece uma base sólida para a deposição de filmes finos e crescimento epitaxial. Sua compatibilidade com outros substratos semicondutores, como substrato de SiC e wafers SOI, garante integração perfeita aos processos de fabricação existentes, ajudando a manter altos rendimentos e qualidade consistente do produto.
Aplicações na Indústria de Semicondutores
Na indústria de semicondutores, o filme de silício da Semicera é utilizado em uma ampla gama de aplicações, desde a produção de Si Wafer e SOI Wafer até usos mais especializados, como SiN Substrate e criação de Epi-Wafer. A alta pureza e precisão deste filme o tornam essencial na produção de componentes avançados utilizados em tudo, desde microprocessadores e circuitos integrados até dispositivos optoeletrônicos.
O filme de silício desempenha um papel crítico em processos semicondutores, como crescimento epitaxial, ligação de wafer e deposição de filme fino. Suas propriedades confiáveis são especialmente valiosas para indústrias que exigem ambientes altamente controlados, como salas limpas em fábricas de semicondutores. Além disso, o filme de silicone pode ser integrado em sistemas de cassetes para manuseio e transporte eficiente de wafers durante a produção.
Confiabilidade e consistência a longo prazo
Um dos principais benefícios do uso do filme de silício da Semicera é sua confiabilidade a longo prazo. Com excelente durabilidade e qualidade consistente, este filme oferece uma solução confiável para ambientes de produção de alto volume. Quer seja usado em dispositivos semicondutores de alta precisão ou em aplicações eletrônicas avançadas, o filme de silício da Semicera garante que os fabricantes possam alcançar alto desempenho e confiabilidade em uma ampla gama de produtos.
Por que escolher o filme de silicone da Semicera?
O Filme de Silício da Semicera é um material essencial para aplicações de ponta na indústria de semicondutores. Suas propriedades de alto desempenho, incluindo excelente estabilidade térmica, alta pureza e resistência mecânica, fazem dele a escolha ideal para fabricantes que buscam atingir os mais altos padrões na produção de semicondutores. Desde Si Wafer e Substrato SiC até a produção de dispositivos de óxido de gálio Ga2O3, este filme oferece qualidade e desempenho incomparáveis.
Com o Silicon Film da Semicera, você pode confiar em um produto que atende às necessidades da fabricação moderna de semicondutores, fornecendo uma base confiável para a próxima geração de eletrônicos.
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Unid |
Produção |
Pesquisar |
Fictício |
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Parâmetros de Cristal |
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Politipo |
4H |
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Erro de orientação de superfície |
<11-20 >4±0.15° |
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Parâmetros Elétricos |
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Dopante |
Nitrogênio tipo n |
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Resistividade |
0,015-0,025ohm·cm |
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Parâmetros Mecânicos |
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Diâmetro |
150,0±0,2 mm |
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Grossura |
350±25 µm |
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Orientação plana primária |
[1-100]±5° |
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Comprimento plano primário |
47,5±1,5mm |
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Apartamento secundário |
Nenhum |
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TTV |
≤5 µm |
≤10 µm |
≤15 µm |
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LTV |
≤3 μm(5mm*5mm) |
≤5 μm(5mm*5mm) |
≤10 μm(5mm*5mm) |
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Arco |
-15μm ~ 15μm |
-35μm ~ 35μm |
-45μm ~ 45μm |
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Urdidura |
≤35 µm |
≤45 µm |
≤55 µm |
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Rugosidade frontal (Si-face) (AFM) |
Ra≤0,2nm (5μm*5μm) |
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Estrutura |
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Densidade de microtubos |
<1 ea/cm2 |
<10 ea/cm2 |
<15 ea/cm2 |
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Impurezas metálicas |
≤5E10atoms/cm2 |
N / D |
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DBP |
≤1500 ea/cm2 |
≤3000 ea/cm2 |
N / D |
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TSD |
≤500 ea/cm2 |
≤1000 ea/cm2 |
N / D |
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Qualidade frontal |
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Frente |
Si |
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Acabamento de superfície |
CMP de face Si |
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Partículas |
≤60ea/wafer (tamanho≥0,3μm) |
N / D |
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Arranhões |
≤5ea/mm. Comprimento cumulativo ≤Diâmetro |
Comprimento cumulativo≤2*Diâmetro |
N / D |
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Casca de laranja/caroços/manchas/estrias/rachaduras/contaminação |
Nenhum |
N / D |
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Lascas/reentrâncias/fraturas/placas sextavadas nas bordas |
Nenhum |
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Áreas politípicas |
Nenhum |
Área acumulada≤20% |
Área acumulada≤30% |
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Marcação a laser frontal |
Nenhum |
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Qualidade traseira |
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Acabamento traseiro |
CMP face C |
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Arranhões |
≤5ea/mm, comprimento cumulativo≤2*Diâmetro |
N / D |
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Defeitos traseiros (lascas/recortes nas bordas) |
Nenhum |
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Rugosidade nas costas |
Ra≤0,2nm (5μm*5μm) |
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Marcação a laser traseira |
1 mm (da borda superior) |
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Borda |
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Borda |
Chanfro |
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Embalagem |
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Embalagem |
Epi-pronto com embalagem a vácuo Embalagem cassete multi-wafer |
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*Notas: “NA” significa sem solicitação. Itens não mencionados podem referir-se ao SEMI-STD. |
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