O suporte de pá e wafer de carboneto de silício impregnado de silício (SiC) é um material compósito de alto desempenho formado pela infiltração de silício em uma matriz de carboneto de silício recristalizada e submetido a tratamento especial. Este material combina a alta resistência e tolerância a altas temperaturas do carboneto de silício recristalizado com o desempenho aprimorado da infiltração de silício e apresenta excelente desempenho sob condições extremas. É amplamente utilizado na área de tratamento térmico de semicondutores, especialmente em ambientes que exigem alta temperatura, alta pressão e alta resistência ao desgaste, e é um material ideal para a fabricação de peças de tratamento térmico no processo de produção de semicondutores.
O Pá e transportador de wafer de carboneto de silício impregnado de silício (SiC) foi projetado para atender aos exigentes requisitos de aplicações de processamento térmico de semicondutores. Fabricado a partir de SiC de alta pureza e aprimorado através de impregnação de silício, este produto oferece uma combinação única de desempenho em altas temperaturas, excelente condutividade térmica, resistência à corrosão e excelente resistência mecânica.
Ao integrar ciência avançada de materiais com fabricação de precisão, esta solução garante desempenho, confiabilidade e durabilidade superiores para fabricantes de semicondutores.
1. Resistência excepcional a altas temperaturas
Com um ponto de fusão superior a 2700°C, os materiais de SiC são inerentemente estáveis sob calor extremo. A impregnação de silicone aumenta ainda mais a sua estabilidade térmica, permitindo-lhes resistir à exposição prolongada a altas temperaturas sem enfraquecimento estrutural ou degradação do desempenho.
A excepcional condutividade térmica do SiC impregnado de silício garante uma distribuição uniforme do calor, reduzindo o estresse térmico durante as etapas críticas do processamento. Esta propriedade prolonga a vida útil do equipamento e minimiza o tempo de inatividade da produção, tornando-o ideal para processamento térmico em alta temperatura.
Uma robusta camada de óxido de silício se forma naturalmente na superfície, proporcionando excelente resistência à oxidação e corrosão. Isto garante confiabilidade de longo prazo em ambientes operacionais adversos, protegendo tanto o material quanto os componentes adjacentes.
O SiC impregnado de silício apresenta excelente resistência à compressão e resistência ao desgaste, mantendo sua integridade estrutural sob condições de alta carga e alta temperatura. Isto reduz o risco de danos relacionados com o desgaste, garantindo um desempenho consistente durante ciclos de utilização prolongados.
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Nome do produto |
SC-RSiC-Si |
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Material |
Compacto de carboneto de silício com impregnação de silício (alta pureza) |
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Aplicativos |
Peças de tratamento térmico de semicondutores, peças de equipamentos de fabricação de semicondutores |
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Formulário de entrega |
Corpo moldado (corpo sinterizado) |
| Composição | Propriedade Mecânica | Módulo de Young (GPa) |
Força de flexão (MPa) |
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| Composição (vol%) | α-SiC | α-SiC | TR | 370 | 250 |
| 82 | 18 | 800°C | 360 | 220 | |
| Densidade aparente (kg/m³) | 3,02 x 10 3 | 1200ºC | 340 | 220 | |
| Temperatura resistente ao calor°C | 1350 | Razão de Poisson | 0.18(RT) | ||
| Propriedade Térmica |
Condutividade Térmica (W/(m·K)) |
Capacidade Específica de Calor (kJ/(kg·K)) |
Coeficiente de Expansão Térmica (1/K) |
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| TR | 220 | 0.7 | TA~700°C | 3,4x10 -6 | |
| 700°C | 60 | 1.23 | 700~1200°C | 4,3x10 -6 | |
| Conteúdo de impurezas ((ppm) | |||||||||||||
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Elemento |
Fé | Não | N / D | K | mg | Ca | Cr |
Mn |
Zn | Cu | Ti | Vai | Ai |
| Taxa de conteúdo | 3 | <2 | <0.5 | <0.1 | <1 | 5 | 0.3 | <0.1 | <0.1 | <0.1 | <0.3 | <0.3 | 25 |
▪ Processamento térmico de semicondutores: Ideal para processos como deposição química de vapor (CVD), crescimento epitaxial e recozimento, onde o controle preciso da temperatura e a durabilidade do material são essenciais.
▪ Porta-wafers e pás: Projetado para segurar e transportar wafers com segurança durante tratamentos térmicos de alta temperatura.
▪ Ambientes operacionais extremos: Adequado para ambientes que exigem resistência ao calor, exposição química e estresse mecânico.
A combinação de carboneto de silício de alta pureza e tecnologia avançada de impregnação de silício oferece benefícios de desempenho incomparáveis:
▪ Precisão: Melhora a precisão e o controle do processamento de semicondutores.
▪ Estabilidade: Suporta ambientes agressivos sem comprometer a funcionalidade.
▪ Longevidade: Prolonga a vida útil dos equipamentos de fabricação de semicondutores.
▪ Eficiência: Melhora a produtividade garantindo resultados confiáveis e consistentes.
No Semícera , nos especializamos em fornecer soluções de alto desempenho adaptadas às necessidades dos fabricantes de semicondutores. Nossa pá de carboneto de silício impregnado de silício e nosso transportador de wafer passam por testes rigorosos e garantia de qualidade para atender aos padrões da indústria. Ao escolher a Semicera, você obtém acesso a materiais de última geração projetados para otimizar seus processos de fabricação e aprimorar suas capacidades de produção.
▪ Composição de materiais: Carboneto de silício de alta pureza com impregnação de silício.
▪ Faixa de temperatura operacional: Até 2700°C.
▪ Condutividade Térmica: Excepcionalmente alto para distribuição uniforme de calor.
▪ Propriedades de resistência: Oxidação, corrosão e resistente ao desgaste.
Pronto para elevar seu processo de fabricação de semicondutores? Contato Semícera hoje para saber mais sobre nossa pá de carboneto de silício impregnado de silício e transportador de wafer.
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