O Wafer Silicon On Insulator (SOI) da Semicera fornece isolamento elétrico e gerenciamento térmico excepcionais para aplicações de alto desempenho. Projetados para oferecer eficiência e confiabilidade superiores aos dispositivos, esses wafers são a melhor escolha para tecnologia avançada de semicondutores. Escolha Semicera para soluções de wafer SOI de ponta.
O Wafer Silicon On Insulator (SOI) da Semicera está na vanguarda da inovação em semicondutores, oferecendo isolamento elétrico aprimorado e desempenho térmico superior. A estrutura SOI, que consiste em uma fina camada de silício sobre um substrato isolante, oferece benefícios críticos para dispositivos eletrônicos de alto desempenho.
Nossos wafers SOI são projetados para minimizar a capacitância parasita e as correntes de fuga, o que é essencial para o desenvolvimento de circuitos integrados de alta velocidade e baixa potência. Esta tecnologia avançada garante que os dispositivos operem de forma mais eficiente, com maior velocidade e menor consumo de energia, crucial para a eletrónica moderna.
Os avançados processos de fabricação empregados pela Semicera garantem a produção de wafers SOI com excelente uniformidade e consistência. Essa qualidade é vital para aplicações em telecomunicações, automotiva e eletrônica de consumo, onde são necessários componentes confiáveis e de alto desempenho.
Além de seus benefícios elétricos, os wafers SOI da Semicera oferecem isolamento térmico superior, melhorando a dissipação de calor e a estabilidade em dispositivos de alta densidade e alta potência. Esse recurso é particularmente valioso em aplicações que envolvem geração significativa de calor e exigem gerenciamento térmico eficaz.
Ao escolher o Silicon On Insulator Wafer da Semicera, você investe em um produto que apoia o avanço de tecnologias de ponta. Nosso compromisso com a qualidade e a inovação garante que nossos wafers SOI atendam às rigorosas demandas da indústria de semicondutores atual, fornecendo a base para dispositivos eletrônicos de próxima geração.
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Unid |
Produção |
Pesquisar |
Fictício |
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Parâmetros de Cristal |
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Politipo |
4H |
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Erro de orientação de superfície |
<11-20 >4±0.15° |
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Parâmetros Elétricos |
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Dopante |
Nitrogênio tipo n |
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Resistividade |
0,015-0,025ohm·cm |
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Parâmetros Mecânicos |
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Diâmetro |
150,0±0,2 mm |
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Grossura |
350±25 µm |
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Orientação plana primária |
[1-100]±5° |
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Comprimento plano primário |
47,5±1,5mm |
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Apartamento secundário |
Nenhum |
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TTV |
≤5 µm |
≤10 µm |
≤15 µm |
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LTV |
≤3 μm(5mm*5mm) |
≤5 μm(5mm*5mm) |
≤10 μm(5mm*5mm) |
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Arco |
-15μm ~ 15μm |
-35μm ~ 35μm |
-45μm ~ 45μm |
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Urdidura |
≤35 µm |
≤45 µm |
≤55 µm |
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Rugosidade frontal (Si-face) (AFM) |
Ra≤0,2nm (5μm*5μm) |
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Estrutura |
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Densidade de microtubos |
<1 ea/cm2 |
<10 ea/cm2 |
<15 ea/cm2 |
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Impurezas metálicas |
≤5E10atoms/cm2 |
N / D |
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DBP |
≤1500 ea/cm2 |
≤3000 ea/cm2 |
N / D |
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TSD |
≤500 ea/cm2 |
≤1000 ea/cm2 |
N / D |
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Qualidade frontal |
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Frente |
Si |
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Acabamento de superfície |
CMP de face Si |
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Partículas |
≤60ea/wafer (tamanho≥0,3μm) |
N / D |
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Arranhões |
≤5ea/mm. Comprimento cumulativo ≤Diâmetro |
Comprimento cumulativo≤2*Diâmetro |
N / D |
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Casca de laranja/caroços/manchas/estrias/rachaduras/contaminação |
Nenhum |
N / D |
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Lascas/reentrâncias/fraturas/placas sextavadas nas bordas |
Nenhum |
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Áreas politípicas |
Nenhum |
Área acumulada≤20% |
Área acumulada≤30% |
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Marcação a laser frontal |
Nenhum |
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Qualidade traseira |
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Acabamento traseiro |
CMP face C |
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Arranhões |
≤5ea/mm, comprimento cumulativo≤2*Diâmetro |
N / D |
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Defeitos traseiros (lascas/recortes nas bordas) |
Nenhum |
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Rugosidade nas costas |
Ra≤0,2nm (5μm*5μm) |
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Marcação a laser traseira |
1 mm (da borda superior) |
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Borda |
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Borda |
Chanfro |
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Embalagem |
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Embalagem |
Epi-pronto com embalagem a vácuo Embalagem cassete multi-wafer |
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*Notas: “NA” significa sem solicitação. Itens não mencionados podem referir-se ao SEMI-STD. |
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