Projetado especificamente para máquinas ASM, ele suporta wafers de 8 polegadas, com precisão de temperatura de ±1℃. A cavidade CVD hermética garante crescimento epitaxial de alta pureza. Sistema de controle inteligente integrado, melhorando a taxa de rendimento para 99,97%, compatível com fabricação de dispositivos de energia/BiCMOS e compatível com ambientes de sala limpa.
As vantagens do ASM (Advanced Semiconductor Materials) na área de Ferramentas Epitaxy estão concentradas principalmente nos seguintes aspectos:
1. Tecnologia líder e equipamentos maduros
A ASM é particularmente conhecida por suas séries de máquinas epitaxiais Aixtron e Epsilon e possui produtos maduros na área de crescimento epitaxial para sistemas de múltiplos materiais, como silício monocristalino, SiC (carboneto de silício) e GaN (nitreto de gálio). Em particular
Série Epsilon (forno de chip único): Amplamente utilizado em epitaxia de silício (Si EPI), é conhecido por seu controle preciso de espessura, uniformidade e baixa densidade de defeitos.
A série Aixtron (MOCVD): com foco na epitaxia de semicondutores compostos (como GaN, SiC EPI), é adequada para indústrias como dispositivos de energia, LEDs e lasers.
2. Excelente uniformidade entre peças e controle de espessura
Os dispositivos epitaxiais do ASM geralmente possuem:
Excelente uniformidade: A uniformidade intrachip (WIW) e a uniformidade interchip (WIF) são controladas dentro de uma faixa de erro estreita, facilitando o controle subsequente do processo.
Excelente espessura e precisão de dopagem: Líder na indústria em termos de controle de espessura (como camadas EPI de 1-10μm de espessura) e consistência de dopagem (Boro, Fósforo, Arsênico).
3. Alta capacidade e baixo custo de propriedade (COO)
Os fornos verticais multichip da ASM (como fornos verticais) são particularmente adequados para produção em massa em grande escala, capazes de processar de 50 a 200 wafers em um único lote e são aplicáveis a linhas de produção sensíveis ao custo.
A série Epsilon de chip único é adequada para produção em pequenos lotes de produtos de alta precisão, com conversão flexível e fácil manutenção.
4. Rápida expansão da epitaxia de SiC
ASM está expandindo ativamente o mercado epitaxial de SiC:
Adquiriu a LPE SpA, aumentando a reserva técnica de equipamentos epitaxiais de SiC;
Os dispositivos SiC EPI da ASM suportam altas taxas de crescimento (>30 μm/h), controle de baixo defeito (BPD, TSD) e são otimizados especificamente para os requisitos de dispositivos de energia, como MOSFETs e diodos Schottky.
