O Wafer SOI (Silicon On Insulator) da Semicera fornece isolamento elétrico e desempenho excepcionais para aplicações avançadas de semicondutores. Projetados para eficiência térmica e elétrica superior, esses wafers são ideais para circuitos integrados de alto desempenho. Escolha Semicera pela qualidade e confiabilidade na tecnologia de wafer SOI.
O Wafer SOI (Silicon On Insulator) da Semicera foi projetado para fornecer isolamento elétrico e desempenho térmico superiores. Esta inovadora estrutura de wafer, com uma camada de silício sobre uma camada isolante, garante melhor desempenho do dispositivo e redução do consumo de energia, tornando-o ideal para uma variedade de aplicações de alta tecnologia.
Nossos wafers SOI oferecem benefícios excepcionais para circuitos integrados, minimizando a capacitância parasita e melhorando a velocidade e a eficiência do dispositivo. Isto é crucial para a eletrónica moderna, onde o elevado desempenho e a eficiência energética são essenciais para aplicações de consumo e industriais.
Semicera emprega técnicas avançadas de fabricação para produzir wafers SOI com qualidade e confiabilidade consistentes. Esses wafers oferecem excelente isolamento térmico, tornando-os adequados para uso em ambientes onde a dissipação de calor é uma preocupação, como em dispositivos eletrônicos de alta densidade e sistemas de gerenciamento de energia.
O uso de wafers SOI na fabricação de semicondutores permite o desenvolvimento de chips menores, mais rápidos e mais confiáveis. O compromisso da Semicera com a engenharia de precisão garante que nossos wafers SOI atendam aos altos padrões exigidos para tecnologias de ponta em áreas como telecomunicações, automotiva e eletrônicos de consumo.
Escolher o SOI Wafer da Semicera significa investir em um produto que apoie o avanço das tecnologias eletrônicas e microeletrônicas. Nossos wafers são projetados para oferecer melhor desempenho e durabilidade, contribuindo para o sucesso de seus projetos de alta tecnologia e garantindo que você permaneça na vanguarda da inovação.
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Unid |
Produção |
Pesquisar |
Fictício |
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Parâmetros de Cristal |
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Politipo |
4H |
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Erro de orientação de superfície |
<11-20 >4±0.15° |
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Parâmetros Elétricos |
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Dopante |
Nitrogênio tipo n |
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Resistividade |
0,015-0,025ohm·cm |
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Parâmetros Mecânicos |
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Diâmetro |
150,0±0,2 mm |
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Grossura |
350±25 µm |
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Orientação plana primária |
[1-100]±5° |
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Comprimento plano primário |
47,5±1,5mm |
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Apartamento secundário |
Nenhum |
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TTV |
≤5 µm |
≤10 µm |
≤15 µm |
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LTV |
≤3 μm(5mm*5mm) |
≤5 μm(5mm*5mm) |
≤10 μm(5mm*5mm) |
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Arco |
-15μm ~ 15μm |
-35μm ~ 35μm |
-45μm ~ 45μm |
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Urdidura |
≤35 µm |
≤45 µm |
≤55 µm |
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Rugosidade frontal (Si-face) (AFM) |
Ra≤0,2nm (5μm*5μm) |
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Estrutura |
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Densidade de microtubos |
<1 ea/cm2 |
<10 ea/cm2 |
<15 ea/cm2 |
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Impurezas metálicas |
≤5E10atoms/cm2 |
N / D |
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DBP |
≤1500 ea/cm2 |
≤3000 ea/cm2 |
N / D |
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TSD |
≤500 ea/cm2 |
≤1000 ea/cm2 |
N / D |
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Qualidade frontal |
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Frente |
Si |
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Acabamento de superfície |
CMP de face Si |
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Partículas |
≤60ea/wafer (tamanho≥0,3μm) |
N / D |
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Arranhões |
≤5ea/mm. Comprimento cumulativo ≤Diâmetro |
Comprimento cumulativo≤2*Diâmetro |
N / D |
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Casca de laranja/caroços/manchas/estrias/rachaduras/contaminação |
Nenhum |
N / D |
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Lascas/reentrâncias/fraturas/placas sextavadas nas bordas |
Nenhum |
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Áreas politípicas |
Nenhum |
Área acumulada≤20% |
Área acumulada≤30% |
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Marcação a laser frontal |
Nenhum |
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Qualidade traseira |
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Acabamento traseiro |
CMP face C |
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Arranhões |
≤5ea/mm, comprimento cumulativo≤2*Diâmetro |
N / D |
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Defeitos traseiros (lascas/recortes nas bordas) |
Nenhum |
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Rugosidade nas costas |
Ra≤0,2nm (5μm*5μm) |
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Marcação a laser traseira |
1 mm (da borda superior) |
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Borda |
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Borda |
Chanfro |
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Embalagem |
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Embalagem |
Epi-pronto com embalagem a vácuo Embalagem cassete multi-wafer |
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*Notas: “NA” significa sem solicitação. Itens não mencionados podem referir-se ao SEMI-STD. |
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