Semicera provides high-quality Solid Silicon Carbide(SiC) Etching Ring as well as customized services. Our Solid Silicon Carbide(SiC) Etching Ring is precision manufactured and strictly quality controlled to ensure its durability and reliability, which can be widely used in semiconductor manufacturing and other related fields. You can buy solid silicon carbide (SiC) etching rings from our factory with confidence. Semicera looks forward to establishing a long-term partnership with you in China.
The Solid Silicon Carbide(SiC) Etching Rings offered by Semicera are manufactured by the Chemical Vapor Deposition (CVD) method and are an outstanding result in the field of precision etching process applications. These Solid Silicon Carbide(SiC) Etching Rings are known for their excellent hardness, thermal stability and corrosion resistance, and the superior material quality is ensured by CVD synthesis.
Designed specifically for etching processes, the Solid Silicon Carbide(SiC) Etching Rings’ rugged structure and unique material properties play a key role in achieving precision and reliability. Unlike traditional materials, the solid SiC component has unparalleled durability and wear resistance, making it an indispensable component in industries that require precision and long life.
Our Solid Silicon Carbide(SiC) Etching Rings are precision manufactured and quality controlled to ensure their superior performance and reliability. Whether in semiconductor manufacturing or other related fields, these Solid Silicon Carbide(SiC) Etching Rings can provide stable etching performance and excellent etching results.
If you are interested in our Solid Silicon Carbide(SiC) Etching Ring, please contact us. Our team will provide you with detailed product information and professional technical support to meet your needs. We look forward to establishing a long-term partnership with you and jointly promoting the development of the industry.
✓Mercado de alta qualidade na China
✓Bom serviço sempre para você, 7*24 horas
✓Curta data de entrega
✓Pequeno MOQ bem -vindo e aceito
✓Serviços personalizados
Susceptador de crescimento de epitaxia
As bolachas de carboneto de silício/silício precisam passar por vários processos para serem usados em dispositivos eletrônicos. Um processo importante é a epitaxia de silício/siC, na qual as bolachas de silício/SiC são transportadas em uma base de grafite. As vantagens especiais da base de grafite revestida de carboneto de Silicone da Semicera incluem pureza extremamente alta, revestimento uniforme e vida útil extremamente longa. Eles também têm alta resistência química e estabilidade térmica.
Produção de chips LED
Durante o revestimento extenso do reator MOCVD, a base planetária ou transportadora move a bolacha do substrato. O desempenho do material base tem uma grande influência na qualidade do revestimento, o que, por sua vez, afeta a taxa de sucata do chip. A base revestida de carboneto de silício da Semicera aumenta a eficiência de fabricação de bolachas LED de alta qualidade e minimiza o desvio do comprimento de onda. Também fornecemos componentes de grafite adicionais para todos os reatores MOCVD atualmente em uso. Podemos revestir quase qualquer componente com um revestimento de carboneto de silício, mesmo que o diâmetro do componente tenha até 1,5 m, ainda podemos revestir com carboneto de silício.
Campo semicondutor, processo de difusão de oxidação, Etc.
No processo de semicondutores, o processo de expansão da oxidação requer alta pureza do produto e, na Semicera, oferecemos serviços de revestimento personalizados e CVD para a maioria das peças de carboneto de silício.
A figura a seguir mostra a pasta de carboneto de silício processado em semicea e o tubo do forno de carboneto de silício que é limpo no 1000-nível livre de poeira sala. Nossos trabalhadores estão trabalhando antes do revestimento. A pureza do nosso carboneto de silício pode atingir 99.99%, e a pureza do revestimento SiC é maior que 99.99995%.
