A Semicera fornece anel de gravação de carboneto de silício sólido (SiC) de alta qualidade, bem como serviços personalizados. Nosso anel de gravação de carboneto de silício sólido (SiC) é fabricado com precisão e estritamente controlado de qualidade para garantir sua durabilidade e confiabilidade, que pode ser amplamente utilizado na fabricação de semicondutores e outros campos relacionados. Você pode comprar anéis de gravação de carboneto de silício sólido (SiC) de nossa fábrica com confiança. Semicera espera estabelecer uma parceria de longo prazo com você na China.
Os anéis de gravação de carboneto de silício sólido (SiC) oferecidos pela Semicera são fabricados pelo método de deposição química de vapor (CVD) e são um excelente resultado no campo de aplicações de processos de gravação de precisão. Esses anéis de gravação de carboneto de silício sólido (SiC) são conhecidos por sua excelente dureza, estabilidade térmica e resistência à corrosão, e a qualidade superior do material é garantida pela síntese de CVD.
Projetados especificamente para processos de gravação, a estrutura robusta e as propriedades exclusivas do material dos anéis de gravação em carboneto de silício sólido (SiC) desempenham um papel fundamental na obtenção de precisão e confiabilidade. Ao contrário dos materiais tradicionais, o componente sólido SiC possui durabilidade e resistência ao desgaste incomparáveis, tornando-o um componente indispensável em indústrias que exigem precisão e longa vida útil.
Nossos anéis de gravação de carboneto de silício sólido (SiC) são fabricados com precisão e qualidade controlada para garantir seu desempenho e confiabilidade superiores. Seja na fabricação de semicondutores ou em outros campos relacionados, esses anéis de gravação de carboneto de silício sólido (SiC) podem fornecer desempenho de gravação estável e excelentes resultados de gravação.
Se você estiver interessado em nosso anel de gravação de carboneto de silício sólido (SiC), entre em contato conosco. Nossa equipe fornecerá informações detalhadas sobre o produto e suporte técnico profissional para atender às suas necessidades. Esperamos estabelecer uma parceria de longo prazo com você e promover conjuntamente o desenvolvimento da indústria.
✓Alta qualidade no mercado chinês
✓Bom serviço sempre para você, 7*24 horas
✓Data de entrega curta
✓Pequeno MOQ bem-vindo e aceito
✓Serviços personalizados
Susceptor de Crescimento Epitaxia
Os wafers de silício/carboneto de silício precisam passar por vários processos para serem usados em dispositivos eletrônicos. Um processo importante é a epitaxia de silício/sic, na qual wafers de silício/sic são transportados sobre uma base de grafite. As vantagens especiais da base de grafite revestida com carboneto de silício da Semicera incluem pureza extremamente alta, revestimento uniforme e vida útil extremamente longa. Eles também possuem alta resistência química e estabilidade térmica.
Produção de chips LED
Durante o extenso revestimento do reator MOCVD, a base ou transportador planetário move o wafer do substrato. O desempenho do material base tem grande influência na qualidade do revestimento, o que por sua vez afeta a taxa de refugo do cavaco. A base revestida de carboneto de silício da Semicera aumenta a eficiência de fabricação de wafers de LED de alta qualidade e minimiza o desvio de comprimento de onda. Também fornecemos componentes adicionais de grafite para todos os reatores MOCVD atualmente em uso. Podemos revestir quase qualquer componente com um revestimento de carboneto de silício, mesmo que o diâmetro do componente seja de até 1,5M, ainda podemos revestir com carboneto de silício.
Campo Semicondutor, Processo de Difusão de Oxidação , etc.
No processo de semicondutores, o processo de expansão por oxidação requer alta pureza do produto, e na Semicera oferecemos serviços de revestimento personalizado e CVD para a maioria das peças de carboneto de silício.
A imagem a seguir mostra a pasta de carboneto de silício processada em bruto de Semicea e o tubo do forno de carboneto de silício que é limpo no 100 0 -nível livre de poeira sala. Nossos trabalhadores estão trabalhando antes do revestimento. A pureza do nosso carboneto de silício pode chegar a 99,99% e a pureza do revestimento sic é superior a 99,99995% .
