Nossa placa de grafite porosa revestida com TaC foi projetada para aplicações de alto desempenho em ambientes térmicos e químicos extremos. Combinando a resiliência leve e de alta temperatura da grafite porosa com um revestimento de carboneto de tântalo (TaC) quimicamente depositado por vapor, este produto oferece um equilíbrio único entre resistência mecânica, resistência à oxidação e estabilidade estrutural. Ideal para crescimento de cristais de SiC e ambientes de nível semicondutor
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Parâmetro |
Especificação |
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Material Básico |
Grafite porosa prensada isostática |
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Densidade Aparente |
1,8 – 2,1 g/cm³ |
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Porosidade |
40 – 60% |
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Faixa de tamanho de poro |
50 – 200 µm |
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Resistência à Compressão |
≥ 80 MPa (antes do revestimento) |
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Método de revestimento |
Deposição Química de Vapor (CVD) |
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Material de revestimento |
Carboneto de tântalo (TaC) |
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Espessura do revestimento |
2 – 35 μm (com zona de transição gradiente) |
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Temperatura de trabalho |
Até 1800 °C em ambientes inertes ou redutores |
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Personalização |
Dimensões, porosidade e espessura de revestimento disponíveis |
O revestimento TaC forma uma proteção Camada de vidro Ta₂O₅ sob condições oxidantes, reduzindo significativamente a taxa de oxidação.
A 800 °C no ar:
• Grafite não revestido: 12 mg/cm²·h
• Placa revestida com TaC: 0,3 mg/cm²·h
A microestrutura gradiente entre TaC e grafite reduz o estresse térmico interfacial em até 67% , evitando delaminação ou rachaduras durante o ciclo térmico.
A resistência melhorou 3× nos testes do Laboratório Semicera quando a resistência da base ≥ 80 MPa.
Mantém a estabilidade estrutural sob 1800°C/10 MPa , com Resistência 8× maior do que placas de grafite não revestidas.
Resistente a H₂, HCl, NH₃ e outras atmosferas agressivas, tornando-o uma opção confiável para MOCVD, PECVD e sistemas de forno de alta pureza.
Indústria de Semicondutores
Placas portadoras e bases susceptoras MOCVD
Cadinhos, anéis guia e escudos térmicos em Crescimento de cristais de SiC
Aeroespacial e Defesa
Isolamento de alta temperatura e componentes de barreira térmica
Sistemas de Energia
Substratos moderadores de nêutrons e componentes de suporte de alta carga sob condições de vácuo/inertes
Personalização e pedidos
Formas e dimensões personalizadas disponíveis
Espessura e porosidade do revestimento adaptadas às necessidades do seu processo
Prototipagem rápida e produção em volume suportada
Todas as placas são produzidas sob sistemas compatíveis com ISO, usando precursores ultrapuros e reatores de grau CVD para garantir qualidade consistente, adesão de revestimento repetível e integridade de superfície superior.
