Os barcos wafer são componentes essenciais no processo de fabricação de semicondutores. A Semiera é capaz de fornecer barcos wafer especialmente projetados e produzidos para processos de difusão, que desempenham um papel vital na fabricação de circuitos integrados de alta qualidade. Estamos firmemente comprometidos em fornecer produtos da mais alta qualidade a preços competitivos e esperamos nos tornar seu parceiro de longo prazo na China.
Resistência à oxidação em alta temperatura
Excelente resistência à corrosão
Boa resistência à abrasão
Alto coeficiente de condutividade térmica
Autolubricidade, baixa densidade
Alta dureza
Projeto personalizado.
-Campo resistente ao desgaste: bucha, placa, bico de jato de areia, revestimento de ciclone, cilindro de moagem, etc.…
-Campo de alta temperatura: laje sic, tubo do forno de têmpera, tubo radiante, cadinho, elemento de aquecimento, rolo, viga, trocador de calor, tubo de ar frio, bico do queimador, tubo de proteção do termopar, barco sic, estrutura do carro do forno, setter, etc.
-Semicondutor de carboneto de silício: barco wafer SiC, mandril sic, pá sic, cassete sic, tubo de difusão sic, garfo wafer, placa de sucção, guia, etc.
-Campo de vedação de carboneto de silício: todos os tipos de anel de vedação, rolamento, bucha, etc.
-Campo Fotovoltaico: Pá Cantilever, Tambor de Moagem, Rolo de Carboneto de Silício, etc.
-Campo de bateria de lítio
| Propriedade | Valor | Método |
| Densidade | 3,21 g/cc | Flutuador e dimensão |
| Calor específico | 0,66 J/g °K | Flash laser pulsado |
| Resistência à flexão | 450MPa560MPa | Curvatura de 4 pontos, curvatura de ponto RT4, 1300° |
| Resistência à fratura | 2,94MPa m1/2 | Microindentação |
| Dureza | 2800 | Vicker's, carga de 500g |
| Módulo de elasticidadeMódulo de Young | 450 GPa430 GPa | Curvatura de 4 pontos, curvatura RT4 pontos, 1300 °C |
| Tamanho do grão | 2 – 10 µm | SEM |
| Condutividade Térmica | 250 W/m °K | Método de flash laser, RT |
| Expansão Térmica (CTE) | 4,5 x 10-6°K | Temperatura ambiente até 950 °C, dilatômetro de sílica |
| Item | Unidade | Dados | ||||
| RBSiC(SiSiC) | NBSiC | SSiC | RSiC | OSiC | ||
| Conteúdo SiC | % | 85 | 75 | 99 | 99.9 | ≥99 |
| Conteúdo de silício grátis | % | 15 | 0 | 0 | 0 | 0 |
| Temperatura máxima de serviço | ℃ | 1380 | 1450 | 1650 | 1620 | 1400 |
| Densidade | g/cm3 | 3.02 | 2.75-2.85 | 3.08-3.16 | 2.65-2.75 | 2.75-2.85 |
| Porosidade aberta | % | 0 | 13-15 | 0 | 15-18 | 7-8 |
| Resistência à flexão 20℃ | Мpa | 250 | 160 | 380 | 100 | / |
| Resistência à flexão 1200℃ | Мpa | 280 | 180 | 400 | 120 | / |
| Módulo de elasticidade 20℃ | GP | 330 | 580 | 420 | 240 | / |
| Módulo de elasticidade 1200℃ | GP | 300 | / | / | 200 | / |
| Condutividade térmica 1200℃ | C/mK | 45 | 19.6 | 100-120 | 36.6 | / |
| Coeficiente de expansão térmica | K-1X10-6 | 4.5 | 4.7 | 4.1 | 4.69 | / |
| Alta tensão | Kg/mm2 | 2115 | / | 2800 | / | / |
O revestimento de carboneto de silício CVD na superfície externa de produtos cerâmicos de carboneto de silício recristalizado pode atingir uma pureza de mais de 99,9999% para atender às necessidades dos clientes da indústria de semicondutores.
