Wafer Cassette– Precision-engineered for the safe handling and storage of semiconductor wafers, ensuring optimal protection and cleanliness throughout the manufacturing process.
Semicera Wafer Cassette is a critical component in the semiconductor manufacturing process, designed to securely hold and transport delicate semiconductor wafers. The Wafer Cassette provides exceptional protection, ensuring that each wafer is kept free from contaminants and physical damage during handling, storage, and transportation.
Constructed with high-purity, chemical-resistant materials, the Semicera Wafer Cassette guarantees the highest levels of cleanliness and durability, essential for maintaining the integrity of wafers at every stage of production. The precision engineering of these cassettes allows for seamless integration with automated handling systems, minimizing the risk of contamination and mechanical damage.
The design of the Wafer Cassette also supports optimal airflow and temperature control, which is crucial for processes that require specific environmental conditions. Whether used in cleanrooms or during thermal processing, the Semicera Wafer Cassette is engineered to meet the stringent demands of the semiconductor industry, providing reliable and consistent performance to enhance manufacturing efficiency and product quality.
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Unid |
Produção |
Pesquisar |
Fictício |
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Parâmetros de cristal |
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Polytype |
4H |
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Erro de orientação da superfície |
4±0.15° |
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Parâmetros elétricos |
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Dopante |
nitrogênio do tipo n |
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Resistividade |
0,015-0.025OHM · cm |
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Parâmetros mecânicos |
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Diâmetro |
150,0 ± 0,2 mm |
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Grossura |
350 ± 25 µm |
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Orientação plana primária |
[1-100]±5° |
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Comprimento plano primário |
47,5 ± 1,5 mm |
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Apartamento secundário |
Nenhum |
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TTV |
≤5 µm |
≤10 µm |
≤15 µm |
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LTV |
≤3 μm (5mm*5mm) |
≤5 μm (5mm*5mm) |
≤10 μm (5mm*5mm) |
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Arco |
-15μm ~ 15μm |
-35μm ~ 35μm |
-45μm ~ 45μm |
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Urdidura |
≤35 µm |
≤45 µm |
≤55 µm |
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A rugosidade frontal (Si-face) (AFM) |
Ra≤0,2 nm (5μm*5μm) |
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Estrutura |
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Densidade de micropipe |
<1 ea/cm2 |
<10 ea/cm2 |
<15 ea/cm2 |
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Impurezas de metal |
≤5E10atoms/cm2 |
N / D |
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Bpd |
≤1500 ea/cm2 |
≤3000 ea/cm2 |
N / D |
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TSD |
≤500 ea/cm2 |
≤1000 ea/cm2 |
N / D |
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Qualidade frontal |
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Frente |
Si |
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Acabamento superficial |
Si-face cmp |
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Partículas |
≤60ea/wafer (size≥0,3μm) |
N / D |
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Arranhões |
≤5ea/mm. Comprimento cumulativo ≤DIAMETER |
Comprimento cumulativo ≤2*diâmetro |
N / D |
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Casca de laranja/poços/manchas/estrias/rachaduras/contaminação |
Nenhum |
N / D |
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Chips/recuos/fraturas/placas de fratura/placas hexadecimais |
Nenhum |
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Áreas de poliateiro |
Nenhum |
Área cumulativa ≤20% |
Área cumulativa ≤30% |
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Marcada a laser dianteira |
Nenhum |
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Qualidade de volta |
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Final traseiro |
CMP C-FACE |
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Arranhões |
≤5ea/mm, comprimento cumulativo≤2*diâmetro |
N / D |
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Defeitos traseiros (chips/recuos de borda) |
Nenhum |
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Rugosidade de volta |
Ra≤0,2 nm (5μm*5μm) |
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Marcação de laser traseiro |
1 mm (da borda superior) |
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Borda |
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Borda |
Chanfro |
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Embalagem |
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Embalagem |
Epi pronto com embalagem a vácuo Embalagem de cassetes de várias linhas |
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*Notas ： “NA” significa que nenhum item de solicitação não mencionado pode se referir ao Semi-STD. |
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