O mandril de vácuo de carboneto de silício e o braço de manuseio de wafer são formados por processo de prensagem isostática e sinterização em alta temperatura. As dimensões externas, espessuras e formatos podem ser finalizados de acordo com os desenhos do projeto do usuário para atender às necessidades específicas do usuário.
O braço de manuseio de wafer é um equipamento chave usado no processo de fabricação de semicondutores para manusear, transferir e posicionar wafers. Geralmente consiste em um braço robótico, uma pinça e um sistema de controle, com movimentos precisos e capacidades de posicionamento. Os braços de manuseio de wafer são amplamente utilizados em vários elos na fabricação de semicondutores, incluindo etapas de processo como carregamento de wafer, limpeza, deposição de filme fino, gravação, litografia e inspeção. Suas capacidades de precisão, confiabilidade e automação são essenciais para garantir a qualidade, eficiência e consistência do processo produtivo.
As principais funções do braço de manuseio de wafer incluem:
1. Transferência de wafer: O braço de manuseio de wafer é capaz de transferir wafers com precisão de um local para outro, como retirar wafers de um rack de armazenamento e colocá-los em um dispositivo de processamento.
2. Posicionamento e orientação: O braço de manuseio do wafer é capaz de posicionar e orientar com precisão o wafer para garantir o alinhamento e a posição corretos para operações subsequentes de processamento ou medição.
3. Fixação e liberação: Os braços de manuseio de wafers geralmente são equipados com pinças que podem prender os wafers com segurança e liberá-los quando necessário para garantir a transferência e o manuseio seguros dos wafers.
4. Controle automatizado: O braço de manuseio de wafer é equipado com um sistema de controle avançado que pode executar automaticamente sequências de ação predeterminadas, melhorar a eficiência da produção e reduzir erros humanos.
Características e vantagens
1. Dimensões precisas e estabilidade térmica.
2.Alta rigidez específica e excelente uniformidade térmica, o uso a longo prazo não é fácil de dobrar a deformação.
3.Tem uma superfície lisa e boa resistência ao desgaste, manuseando assim o chip com segurança, sem contaminação por partículas.
4.Resistividade de carboneto de silício em 106-108Ω, não magnético, em linha com os requisitos de especificação anti-ESD; Pode evitar o acúmulo de eletricidade estática na superfície do chip.
5.Boa condutividade térmica, baixo coeficiente de expansão.
