SiC Coating SiC Graphite Wafer Susceptor é uma solução premium para processos MOCVD (deposição de vapor químico metal-orgânico), projetado para proporcionar estabilidade térmica excepcional, resistência à corrosão e longevidade. Fabricado a partir de carboneto de silício de alta pureza (SiC) e grafite avançado, este susceptor garante uma distribuição de calor uniforme e desempenho confiável em ambientes extremos, permitindo um crescimento epitaxial impecável de materiais semicondutores como GaN, SiC e LEDs.
Aplicações de Produtos
Semiconductor Manufacturing
Ideal para deposição epitaxial de semicondutores compostos GaN, SiC e III-V.
Crítico para produzir LEDs de alto desempenho, dispositivos RF e eletrônica de energia.
Investigação e Desenvolvimento
Confiado em laboratórios para estudos avançados de materiais e prototipagem de semicondutores de última geração.
MOCVD industrial Sistemas
Compatível com o equipamento MOCVD líder para produção em massa de componentes optoeletrônicos.
Durabilidade Inigualável
O revestimento SiC aumenta a resistência ao choque térmico, à corrosão química e ao desgaste mecânico, prolongando a vida útil por 3x em comparação com os tradicionais susceptores de grafite.
Uniformidade térmica superior
Projetado para a uniformidade de temperatura ±1,5% através da superfície da wafer, minimizando defeitos em camadas depositadas.
High-Temperature Stability
Funciona perfeitamente a temperaturas até 1.800°C, mantendo a integridade estrutural em ambientes MOCVD severos.
Cost Efficiency
Reduz os custos de inatividade e substituição graças à durabilidade prolongada e desempenho consistente.
Composição de Materiais Premium
Combina grafite isostática de alta pureza com um revestimento SiC denso e isento de defeitos para ótima resistência térmica e química.
Desenhos Personalizáveis
Disponível em geometrias personalizadas (por exemplo, panqueca, vertical, horizontal) para caber diversas configurações de reator.
Precision Engineering
O acabamento superficial ultra-suave (<0,5 μm Ra) garante a mínima contaminação das partículas durante a deposição.
Resposta térmica rápida
O design de baixa massa térmica acelera os ciclos de aquecimento/resfriamento, aumentando a eficiência do processo.
Perícia da indústria: Apoiado por mais de 15 anos de experiência em soluções cerâmicas avançadas para aplicações de semicondutores.
Garantia de qualidade: Testes rigorosos sob protocolos certificados pela ISO garantem consistência de desempenho.
Suporte Global: Equipe técnica dedicada disponível para soluções personalizadas e entrega rápida.
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