4-дюймовые подложки из оксида галлия

Name: China 4″ Gallium Oxide Substrates Suppliers
SKU: 0110

4-дюймовые подложки из оксида галлия. Откройте новые уровни эффективности и производительности в силовой электронике и УФ-устройствах с помощью высококачественных 4-дюймовых подложек из оксида галлия от Semicera, разработанных для передовых полупроводниковых приложений.

Семицера с гордостью представляет свой 4-дюймовые подложки из оксида галлия , новаторский материал, разработанный для удовлетворения растущих потребностей высокопроизводительных полупроводниковых устройств. Оксид галлия (Ga₂O₃) подложки имеют сверхширокую запрещенную зону, что делает их идеальными для силовой электроники нового поколения, УФ-оптоэлектроники и высокочастотных устройств.

Ключевые особенности:

• Сверхширокая запрещенная зона : 4-дюймовые подложки из оксида галлия имеют ширину запрещенной зоны около 4,8 эВ, что обеспечивает исключительную устойчивость к напряжению и температуре, значительно превосходя традиционные полупроводниковые материалы, такие как кремний.

• Высокое напряжение пробоя : Эти подложки позволяют устройствам работать при более высоких напряжениях и мощностях, что делает их идеальными для высоковольтных приложений в силовой электронике.

• Превосходная термическая стабильность : Подложки из оксида галлия обладают превосходной теплопроводностью, обеспечивая стабильную работу в экстремальных условиях и идеально подходят для использования в сложных условиях.

• Высокое качество материала : Благодаря низкой плотности дефектов и высокому качеству кристаллов эти подложки обеспечивают надежную и стабильную работу, повышая эффективность и долговечность ваших устройств.

• Универсальное применение : Подходит для широкого спектра применений, включая силовые транзисторы, диоды Шоттки и светодиодные устройства UV-C, что позволяет внедрять инновации как в силовой, так и в оптоэлектронной области.

Исследуйте будущее полупроводниковых технологий вместе с Semicera 4-дюймовые подложки из оксида галлия . Наши подложки предназначены для поддержки самых передовых приложений, обеспечивая надежность и эффективность, необходимые для современных устройств. Доверьтесь компании Semicera в отношении качества и инноваций в ваших полупроводниковых материалах.

Предметы	Производство	Исследовать	Дурачок
Параметры кристалла
Политип	4H
Ошибка ориентации поверхности	<11-20 >4±0.15°
Электрические параметры
легирующая примочка	Азот n-типа
Удельное сопротивление	0,015-0,025 Ом·см
Механические параметры
Диаметр	150,0±0,2 мм
Толщина	350±25 мкм
Первичная плоская ориентация	[1-100]±5°
Первичная плоская длина	47,5±1,5 мм
Вторичная квартира	Никто
ТТВ	≤5 мкм	≤10 мкм	≤15 мкм
Общая ценность	≤3 мкм(5мм*5мм)	≤5 мкм(5мм*5мм)	≤10 мкм(5мм*5мм)
Поклон	-15 мкм ~ 15 мкм	-35 мкм ~ 35 мкм	-45 мкм ~ 45 мкм
Деформация	≤35 мкм	≤45 мкм	≤55 мкм
Шероховатость передней поверхности (Si-face) (AFM)	Ra≤0,2 нм (5 мкм*5 мкм)
Структура
Плотность микротрубок	<1 шт./см2	<10 шт/см2	<15 шт/см2
Металлические примеси	≤5E10atoms/cm2		NA
БЛД	≤1500 шт/см2	≤3000 шт/см2	NA
ТСД	≤500 шт/см2	≤1000 шт/см2	NA
Переднее качество
Передний	Си
Чистота поверхности	Si-лицо CMP
Частицы	≤60 шт/пластина (размер ≥0,3 мкм)	NA
Царапины	≤5 шт./мм. Совокупная длина ≤Диаметр	Совокупная длина≤2*диаметр	NA
Апельсиновая корка/косточки/пятна/бороздки/трещины/загрязнения	Никто		NA
Краевые сколы/вмятины/изломы/шестигранные пластины	Никто
Политипные области	Никто	Совокупная площадь≤20%	Совокупная площадь≤30%
Передняя лазерная маркировка	Никто
Назад Качество
Задняя отделка	C-образная грань CMP
Царапины	≤5 шт./мм, совокупная длина≤2*диаметр	NA
Дефекты задней стороны (сколы/вмятины по краям)	Никто
Задняя шероховатость	Ra≤0,2 нм (5 мкм*5 мкм)
Задняя лазерная маркировка	1 мм (от верхнего края)
Край
Край	Фаска
Упаковка
Упаковка	Эпи-готовность в вакуумной упаковке Многовафельная кассетная упаковка
*Примечания: «NA» означает отсутствие запроса. Неуказанные элементы могут относиться к SEMI-STD.