4″6″ 8″ слиток SiC N-типа

Слитки SiC N-типа компании Semicera диаметром 4, 6 и 8 дюймов являются краеугольным камнем для мощных и высокочастотных полупроводниковых устройств. Обладая превосходными электрическими свойствами и теплопроводностью, эти слитки созданы для производства надежных и эффективных электронных компонентов. Доверьтесь Semicera и получите непревзойденное качество и производительность.

4-дюймовые, 6-дюймовые и 8-дюймовые слитки SiC N-типа компании Semicera представляют собой прорыв в области полупроводниковых материалов, разработанных для удовлетворения растущих требований современных электронных и энергетических систем. Эти слитки обеспечивают прочную и стабильную основу для различных полупроводниковых применений, обеспечивая оптимальную производительность и долговечность.

Наши слитки SiC N-типа производятся с использованием передовых производственных процессов, которые повышают их электропроводность и термическую стабильность. Это делает их идеальными для мощных и высокочастотных устройств, таких как инверторы, транзисторы и другие силовые электронные устройства, где эффективность и надежность имеют первостепенное значение.

Точное легирование этих слитков гарантирует их стабильную и повторяемую производительность. Такая последовательность имеет решающее значение для разработчиков и производителей, которые расширяют границы технологий в таких областях, как аэрокосмическая, автомобильная и телекоммуникационная. Слитки SiC компании Semicera позволяют производить устройства, которые эффективно работают в экстремальных условиях.

Выбор слитков SiC N-типа компании Semicera означает интеграцию материалов, которые могут легко выдерживать высокие температуры и высокие электрические нагрузки. Эти слитки особенно подходят для создания компонентов, требующих превосходного терморегулирования и высокочастотной работы, таких как радиочастотные усилители и силовые модули.

Выбирая слитки SiC N-типа Semicera диаметром 4, 6 и 8 дюймов, вы инвестируете в продукт, который сочетает в себе исключительные свойства материала с точностью и надежностью, требуемыми передовыми полупроводниковыми технологиями. Semicera продолжает лидировать в отрасли, предлагая инновационные решения, способствующие развитию производства электронных устройств. 

Предметы

Производство

Исследовать

Дурачок

Параметры кристалла

Политип

4H

Ошибка ориентации поверхности

<11-20 >4±0.15°

Электрические параметры

легирующая примочка

Азот n-типа

Удельное сопротивление

0,015-0,025 Ом·см

Механические параметры

Диаметр

150,0±0,2 мм

Толщина

350±25 мкм

Первичная плоская ориентация

[1-100]±5°

Первичная плоская длина

47,5±1,5 мм

Вторичная квартира

Никто

ТТВ

≤5 мкм

≤10 мкм

≤15 мкм

Общая ценность

≤3 мкм(5мм*5мм)

≤5 мкм(5мм*5мм)

≤10 мкм(5мм*5мм)

Поклон

-15 мкм ~ 15 мкм

-35 мкм ~ 35 мкм

-45 мкм ~ 45 мкм

Деформация

≤35 мкм

≤45 мкм

≤55 мкм

Шероховатость передней поверхности (Si-face) (AFM)

Ra≤0,2 нм (5 мкм*5 мкм)

Структура

Плотность микротрубок

&lt;1 шт./см2

&lt;10 шт/см2

&lt;15 шт/см2

Металлические примеси

≤5E10atoms/cm2

NA

БЛД

≤1500 шт/см2

≤3000 шт/см2

NA

ТСД

≤500 шт/см2

≤1000 шт/см2

NA

Переднее качество

Передний

Си

Чистота поверхности

Si-лицо CMP

Частицы

≤60 шт/пластина (размер ≥0,3 мкм)

NA

Царапины

≤5 шт./мм. Совокупная длина ≤Диаметр

Совокупная длина≤2*диаметр

NA

Апельсиновая корка/косточки/пятна/бороздки/трещины/загрязнения

Никто

NA

Краевые сколы/вмятины/изломы/шестигранные пластины

Никто

Политипные области

Никто

Совокупная площадь≤20%

Совокупная площадь≤30%

Передняя лазерная маркировка

Никто

Назад Качество

Задняя отделка

C-образная грань CMP

Царапины

≤5 шт./мм, совокупная длина≤2*диаметр

NA

Дефекты задней стороны (сколы/вмятины по краям)

Никто

Задняя шероховатость

Ra≤0,2 нм (5 мкм*5 мкм)

Задняя лазерная маркировка

1 мм (от верхнего края)

Край

Край

Фаска

Упаковка

Упаковка

Эпи-готовность в вакуумной упаковке

Многовафельная кассетная упаковка

*Примечания: «NA» означает отсутствие запроса. Неуказанные элементы могут относиться к SEMI-STD.

tech_1_2_size

SiC пластины

Новостная рассылка

С нетерпением ждем вашего контакта с нами