Слитки SiC N-типа компании Semicera диаметром 4, 6 и 8 дюймов являются краеугольным камнем для мощных и высокочастотных полупроводниковых устройств. Обладая превосходными электрическими свойствами и теплопроводностью, эти слитки созданы для производства надежных и эффективных электронных компонентов. Доверьтесь Semicera и получите непревзойденное качество и производительность.
4-дюймовые, 6-дюймовые и 8-дюймовые слитки SiC N-типа компании Semicera представляют собой прорыв в области полупроводниковых материалов, разработанных для удовлетворения растущих требований современных электронных и энергетических систем. Эти слитки обеспечивают прочную и стабильную основу для различных полупроводниковых применений, обеспечивая оптимальную производительность и долговечность.
Наши слитки SiC N-типа производятся с использованием передовых производственных процессов, которые повышают их электропроводность и термическую стабильность. Это делает их идеальными для мощных и высокочастотных устройств, таких как инверторы, транзисторы и другие силовые электронные устройства, где эффективность и надежность имеют первостепенное значение.
Точное легирование этих слитков гарантирует их стабильную и повторяемую производительность. Такая последовательность имеет решающее значение для разработчиков и производителей, которые расширяют границы технологий в таких областях, как аэрокосмическая, автомобильная и телекоммуникационная. Слитки SiC компании Semicera позволяют производить устройства, которые эффективно работают в экстремальных условиях.
Выбор слитков SiC N-типа компании Semicera означает интеграцию материалов, которые могут легко выдерживать высокие температуры и высокие электрические нагрузки. Эти слитки особенно подходят для создания компонентов, требующих превосходного терморегулирования и высокочастотной работы, таких как радиочастотные усилители и силовые модули.
Выбирая слитки SiC N-типа Semicera диаметром 4, 6 и 8 дюймов, вы инвестируете в продукт, который сочетает в себе исключительные свойства материала с точностью и надежностью, требуемыми передовыми полупроводниковыми технологиями. Semicera продолжает лидировать в отрасли, предлагая инновационные решения, способствующие развитию производства электронных устройств.
|
Предметы |
Производство |
Исследовать |
Дурачок |
|
Параметры кристалла |
|||
|
Политип |
4H |
||
|
Ошибка ориентации поверхности |
<11-20 >4±0.15° |
||
|
Электрические параметры |
|||
|
легирующая примочка |
Азот n-типа |
||
|
Удельное сопротивление |
0,015-0,025 Ом·см |
||
|
Механические параметры |
|||
|
Диаметр |
150,0±0,2 мм |
||
|
Толщина |
350±25 мкм |
||
|
Первичная плоская ориентация |
[1-100]±5° |
||
|
Первичная плоская длина |
47,5±1,5 мм |
||
|
Вторичная квартира |
Никто |
||
|
ТТВ |
≤5 мкм |
≤10 мкм |
≤15 мкм |
|
Общая ценность |
≤3 мкм(5мм*5мм) |
≤5 мкм(5мм*5мм) |
≤10 мкм(5мм*5мм) |
|
Поклон |
-15 мкм ~ 15 мкм |
-35 мкм ~ 35 мкм |
-45 мкм ~ 45 мкм |
|
Деформация |
≤35 мкм |
≤45 мкм |
≤55 мкм |
|
Шероховатость передней поверхности (Si-face) (AFM) |
Ra≤0,2 нм (5 мкм*5 мкм) |
||
|
Структура |
|||
|
Плотность микротрубок |
<1 шт./см2 |
<10 шт/см2 |
<15 шт/см2 |
|
Металлические примеси |
≤5E10atoms/cm2 |
NA |
|
|
БЛД |
≤1500 шт/см2 |
≤3000 шт/см2 |
NA |
|
ТСД |
≤500 шт/см2 |
≤1000 шт/см2 |
NA |
|
Переднее качество |
|||
|
Передний |
Си |
||
|
Чистота поверхности |
Si-лицо CMP |
||
|
Частицы |
≤60 шт/пластина (размер ≥0,3 мкм) |
NA |
|
|
Царапины |
≤5 шт./мм. Совокупная длина ≤Диаметр |
Совокупная длина≤2*диаметр |
NA |
|
Апельсиновая корка/косточки/пятна/бороздки/трещины/загрязнения |
Никто |
NA |
|
|
Краевые сколы/вмятины/изломы/шестигранные пластины |
Никто |
||
|
Политипные области |
Никто |
Совокупная площадь≤20% |
Совокупная площадь≤30% |
|
Передняя лазерная маркировка |
Никто |
||
|
Назад Качество |
|||
|
Задняя отделка |
C-образная грань CMP |
||
|
Царапины |
≤5 шт./мм, совокупная длина≤2*диаметр |
NA |
|
|
Дефекты задней стороны (сколы/вмятины по краям) |
Никто |
||
|
Задняя шероховатость |
Ra≤0,2 нм (5 мкм*5 мкм) |
||
|
Задняя лазерная маркировка |
1 мм (от верхнего края) |
||
|
Край |
|||
|
Край |
Фаска |
||
|
Упаковка |
|||
|
Упаковка |
Эпи-готовность в вакуумной упаковке Многовафельная кассетная упаковка |
||
|
*Примечания: «NA» означает отсутствие запроса. Неуказанные элементы могут относиться к SEMI-STD. |
|||