Semicera предлагает высококачественные держатели для пластин, предназначенные для процессов Si-эпитаксии и SiC-эпитаксии. Продукция Semicera обеспечивает стабильность и отличную теплопроводность для различных полупроводниковых применений, таких как MOCVD-токсисторы и цилиндрические токопроводящие устройства. Наша продукция широко используется в процессе производства монокристаллического кремния, обладая превосходной устойчивостью к высоким температурам и совместимостью с материалами.
Носитель для эпитаксии является важнейшим компонентом в производстве полупроводников, особенно в процессах Si-эпитаксии и SiC-эпитаксии. Semicera тщательно разрабатывает и производит держатели пластин, способные выдерживать экстремально высокие температуры и химические среды, обеспечивая отличную производительность в таких приложениях, как токопроводящие устройства MOCVD и цилиндрические токоприемники. Будь то осаждение монокристаллического кремния или сложные процессы эпитаксии, Epitaxy Wafer Carrier от Semicera обеспечивает превосходную однородность и стабильность.
Эпитаксиальный держатель пластин Semicera изготовлен из современных материалов с превосходной механической прочностью и теплопроводностью, что позволяет эффективно снизить потери и нестабильность во время процесса. Кроме того, конструкция держателя пластин может адаптироваться к эпитаксиальному оборудованию разных размеров, тем самым повышая общую эффективность производства.
Для клиентов, которым требуются процессы эпитаксии с высокой точностью и высокой чистотой, Epitaxy Wafer Carrier от Semicera является надежным выбором. Мы всегда стремимся предоставить клиентам отличное качество продукции и надежную техническую поддержку, чтобы помочь повысить надежность и эффективность производственных процессов.
✓Высочайшее качество на рынке Китая
✓Хороший сервис всегда для вас, 7*24 часа
✓Короткий срок поставки
✓Небольшой минимальный заказ приветствуется и принимается
✓Таможенные услуги
Эпитаксия, рецептор роста
Пластины кремния/карбида кремния должны пройти множество процессов, прежде чем их можно будет использовать в электронных устройствах. Важным процессом является кремниевая/sic эпитаксия, при которой кремниевые/sic пластины наносятся на графитовую основу. К особым преимуществам графитовой основы Semicera, покрытой карбидом кремния, относятся чрезвычайно высокая чистота, равномерное покрытие и чрезвычайно длительный срок службы. Они также обладают высокой химической стойкостью и термической стабильностью.
Производство светодиодных чипов
Во время обширного покрытия MOCVD-реактора планетарное основание или носитель перемещает пластину-подложку. Характеристики основного материала оказывают большое влияние на качество покрытия, что, в свою очередь, влияет на процент брака стружки. Основание Semicera с покрытием из карбида кремния повышает эффективность производства высококачественных светодиодных пластин и минимизирует отклонение длины волны. Мы также поставляем дополнительные графитовые компоненты для всех используемых в настоящее время реакторов MOCVD. Мы можем покрыть практически любой компонент покрытием из карбида кремния, даже если диаметр компонента составляет до 1,5 м, мы все равно можем покрыть карбидом кремния.
Полупроводниковая область, процесс диффузии окисления , И т. д.
В полупроводниковом производстве процесс окислительного расширения требует высокой чистоты продукта, и в Semicera мы предлагаем услуги по индивидуальному заказу и нанесению CVD-покрытия для большинства деталей из карбида кремния.
На следующем рисунке показана суспензия карбида кремния грубой обработки компании Semicea и труба печи из карбида кремния, очищенная в 100 0 -уровень без пыли комната. Наши работники работают перед нанесением покрытия. Чистота нашего карбида кремния может достигать 99,98%, а чистота карбида кремния превышает 99,9995%. .
