Ga2O3Epitaxy – Усовершенствуйте свои мощные электронные и оптоэлектронные устройства с помощью Ga2O3Epitaxy от Semicera, предлагающего непревзойденную производительность и надежность для передовых полупроводниковых приложений.
Семицера с гордостью предлагает Га2O3 Эпитаксия , современное решение, призванное расширить границы силовой и оптоэлектроники. Эта передовая эпитаксиальная технология использует уникальные свойства оксида галлия (Ga2O3), чтобы обеспечить превосходную производительность в ресурсоемких приложениях.
Ключевые особенности:
• Исключительно широкая запрещенная зона : Га2O3 Эпитаксия имеет сверхширокую запрещенную зону, что обеспечивает более высокие напряжения пробоя и эффективную работу в средах с высокой мощностью.
• Высокая теплопроводность : Эпитаксиальный слой обеспечивает отличную теплопроводность, обеспечивая стабильную работу даже в условиях высоких температур, что делает его идеальным для высокочастотных устройств.
• Превосходное качество материала : Достигайте высокого качества кристалла с минимальным количеством дефектов, гарантируя оптимальную производительность и долговечность устройства, особенно в критически важных приложениях, таких как силовые транзисторы и УФ-детекторы.
• Универсальность в приложениях : Идеально подходит для силовой электроники, радиочастотных приложений и оптоэлектроники, обеспечивая надежную основу для полупроводниковых устройств нового поколения.
Откройте для себя потенциал Га2O3 Эпитаксия с инновационными решениями Semicera. Наши эпитаксиальные продукты разработаны с учетом самых высоких стандартов качества и производительности, что позволяет вашим устройствам работать с максимальной эффективностью и надежностью. Выбирайте Semicera для передовых полупроводниковых технологий.
|
Предметы |
Производство |
Исследовать |
Дурачок |
|
Параметры кристалла |
|||
|
Политип |
4H |
||
|
Ошибка ориентации поверхности |
<11-20 >4±0.15° |
||
|
Электрические параметры |
|||
|
легирующая примочка |
Азот n-типа |
||
|
Удельное сопротивление |
0,015-0,025 Ом·см |
||
|
Механические параметры |
|||
|
Диаметр |
150,0±0,2 мм |
||
|
Толщина |
350±25 мкм |
||
|
Первичная плоская ориентация |
[1-100]±5° |
||
|
Первичная плоская длина |
47,5±1,5 мм |
||
|
Вторичная квартира |
Никто |
||
|
ТТВ |
≤5 мкм |
≤10 мкм |
≤15 мкм |
|
Общая ценность |
≤3 мкм(5мм*5мм) |
≤5 мкм(5мм*5мм) |
≤10 мкм(5мм*5мм) |
|
Поклон |
-15 мкм ~ 15 мкм |
-35 мкм ~ 35 мкм |
-45 мкм ~ 45 мкм |
|
Деформация |
≤35 мкм |
≤45 мкм |
≤55 мкм |
|
Шероховатость передней поверхности (Si-face) (AFM) |
Ra≤0,2 нм (5 мкм*5 мкм) |
||
|
Структура |
|||
|
Плотность микротрубок |
<1 шт./см2 |
<10 шт/см2 |
<15 шт/см2 |
|
Металлические примеси |
≤5E10atoms/cm2 |
NA |
|
|
БЛД |
≤1500 шт/см2 |
≤3000 шт/см2 |
NA |
|
ТСД |
≤500 шт/см2 |
≤1000 шт/см2 |
NA |
|
Переднее качество |
|||
|
Передний |
Си |
||
|
Чистота поверхности |
Si-лицо CMP |
||
|
Частицы |
≤60 шт/пластина (размер ≥0,3 мкм) |
NA |
|
|
Царапины |
≤5 шт./мм. Совокупная длина ≤Диаметр |
Совокупная длина≤2*диаметр |
NA |
|
Апельсиновая корка/косточки/пятна/бороздки/трещины/загрязнения |
Никто |
NA |
|
|
Краевые сколы/вмятины/изломы/шестигранные пластины |
Никто |
||
|
Политипные области |
Никто |
Совокупная площадь≤20% |
Совокупная площадь≤30% |
|
Передняя лазерная маркировка |
Никто |
||
|
Назад Качество |
|||
|
Задняя отделка |
C-образная грань CMP |
||
|
Царапины |
≤5 шт./мм, совокупная длина≤2*диаметр |
NA |
|
|
Дефекты задней стороны (сколы/вмятины по краям) |
Никто |
||
|
Задняя шероховатость |
Ra≤0,2 нм (5 мкм*5 мкм) |
||
|
Задняя лазерная маркировка |
1 мм (от верхнего края) |
||
|
Край |
|||
|
Край |
Фаска |
||
|
Упаковка |
|||
|
Упаковка |
Эпи-готовность в вакуумной упаковке Многовафельная кассетная упаковка |
||
|
*Примечания: «NA» означает отсутствие запроса. Неуказанные позиции могут относиться к SEMI-STD. |
|||
