Semicera Energy Technology Co., Ltd. — ведущий поставщик, специализирующийся на пластинах и современных полупроводниковых расходных материалах. Мы стремимся предоставлять высококачественную, надежную и инновационную продукцию для производства полупроводников, фотоэлектрической промышленности и других смежных областей. Наша линейка продуктов включает в себя графитовые изделия с покрытием SiC/TaC и керамические изделия, включающие различные материалы, такие как карбид кремния, нитрид кремния, оксид алюминия и т. д. В настоящее время мы являемся единственным производителем, обеспечивающим чистоту покрытия SiC 99,9999% и рекристаллизованного карбида кремния 99,9%. Максимальная длина покрытия SiC, которую мы можем сделать, составляет 2640 мм.
Подложки GaAs делятся на проводящие и полуизолирующие, которые широко используются в лазерах (LD), полупроводниковых светодиодах (LED), лазерах ближнего инфракрасного диапазона, мощных лазерах с квантовыми ямами и высокоэффективных солнечных панелях. Чипы HEMT и HBT для радиолокационных, микроволновых, миллиметровых или сверхвысокоскоростных компьютеров и оптической связи; Радиочастотные устройства для беспроводной связи, 4G, 5G, спутниковой связи, WLAN.
В последнее время подложки из арсенида галлия также добились большого прогресса в производстве мини-светодиодов, микро-светодиодов и красных светодиодов и широко используются в носимых устройствах AR/VR.
|
Диаметр |
50 мм | 75 мм | 100 мм | 150 мм |
|
Метод роста |
ЛЭК Метод прямого вытягивания жидкого уплотнения |
|
Толщина пластины |
350 мкм ~ 625 мкм |
|
Ориентация |
<100> / <111> / <110> или другие |
|
Проводящий тип |
П-тип / Н-тип / Полуизолирующий |
|
Тип/Допация |
Zn/Si/нелегированный |
|
Концентрация носителей |
1Э17 ~ 5Э19 см-3 |
|
Сопротивление при комнатной температуре |
≥1E7 для СИ |
|
Мобильность |
≥4000 |
|
EPD (Плотность ямы травления) |
100~1E5 |
|
ТТВ |
≤ 10 мкм |
|
Лук/Деформация |
≤ 20 мкм |
|
Поверхностная обработка |
ЦСП/ССП |
|
Лазерная метка |
|
|
Оценка |
Полированный Epi/механический класс |
