Нитрид галлия (GaN), как и материалы из карбида кремния (SiC), принадлежит к третьему поколению полупроводниковых материалов с широкой запрещенной зоной, с большой шириной запрещенной зоны, высокой теплопроводностью, высокой скоростью миграции электронного насыщения и выдающимися характеристиками электрического поля с высоким пробоем. Устройства GaN имеют широкий спектр перспектив применения в высокочастотных, высокоскоростных и высокомощных областях, таких как светодиодное энергосберегающее освещение, лазерные проекционные дисплеи, новые энергетические транспортные средства, интеллектуальные сети, связь 5G.
Полупроводниковые материалы третьего поколения в основном включают SiC, GaN, алмаз и т. д., поскольку ширина запрещенной зоны (Eg) превышает или равна 2,3 электрон-вольта (эВ), они также известны как полупроводниковые материалы с широкой запрещенной зоной. По сравнению с полупроводниковыми материалами первого и второго поколения, полупроводниковые материалы третьего поколения обладают преимуществами высокой теплопроводности, сильного электрического поля пробоя, высокой скорости миграции насыщенных электронов и высокой энергии связи, что может удовлетворить новые требования современной электронной технологии к высокой температуре, высокой мощности, высокому давлению, высокой частоте, радиационной стойкости и другим суровым условиям. Он имеет важные перспективы применения в областях национальной обороны, авиации, аэрокосмической отрасли, разведки нефти, оптического хранения и т. д. и может сократить потери энергии более чем на 50% во многих стратегических отраслях, таких как широкополосная связь, солнечная энергетика, автомобилестроение, полупроводниковое освещение и интеллектуальные сети, а также может сократить объем оборудования более чем на 75%, что имеет важное значение для развития гуманитарной науки и технологий.
|
Элемент |
GaN-FS-C-U-C50 |
GaN-FS-C-N-C50 |
GaN-FS-C-SI-C50 |
|
Диаметр |
50,8 ± 1 мм |
||
|
Толщина толщина |
350 ± 25 мкм |
||
|
Ориентация |
Угол наклона плоскости C (0001) к оси M 0,35 ± 0,15°. |
||
|
Прайм Флэт |
(1-100) 0 ± 0,5°, 16 ± 1 мм |
||
|
Вторичная квартира |
(11-20) 0 ± 3°, 8 ± 1 мм |
||
|
Проводимость |
N-тип |
N-тип |
Полуизоляционный |
|
Сопротивление (300К) |
< 0,1 Ом·см |
< 0,05 Ом·см |
> 106 Ом·см |
|
ТТВ |
≤ 15 мкм |
||
|
ПОКЛОН |
≤ 20 мкм |
||
|
Шероховатость поверхности торца Ga |
< 0,2 нм (полированный); |
||
|
или < 0,3 нм (полировка и обработка поверхности для эпитаксии) |
|||
|
N Шероховатость торцевой поверхности |
0,5 ~ 1,5 мкм |
||
|
опция: 1~3 нм (тонкая шлифовка); < 0,2 нм (полированный) |
|||
|
Плотность дислокаций |
От 1 х 105 до 3 х 106 см-2 (расчет по КЛ)* |
||
|
Плотность макродефектов |
< 2 см-2 |
||
|
Полезная площадь |
> 90% (исключение краевых и макродефектов) |
||
|
Могут быть настроены в соответствии с требованиями заказчика, с различной структурой эпитаксиального листа GaN на основе кремния, сапфира, карбида кремния. |
|||
