Semicera Energy Technology Co., Ltd. является ведущим поставщиком современной полупроводниковой керамики. Наша основная продукция включает в себя: гравированные диски из карбида кремния, прицепы для лодок из карбида кремния, пластины из карбида кремния (фотоэлектрические и полупроводниковые), печные трубы из карбида кремния, консольные лопасти из карбида кремния, патроны из карбида кремния, балки из карбида кремния, а также покрытия CVD SiC и покрытия TaC.
Продукция в основном используется в полупроводниковой и фотоэлектрической промышленности, например, в оборудовании для выращивания кристаллов, эпитаксии, травления, упаковки, нанесения покрытий и диффузионных печей.
Мы соблюдаем очень жесткие допуски при нанесении покрытия SiC, используя высокоточную обработку для обеспечения однородного профиля токоприемника. Мы также производим материалы с идеальными свойствами электрического сопротивления для использования в системах с индуктивным нагревом. Все готовые компоненты имеют сертификат чистоты и соответствия размеров.
Наша компания предоставляет услуги по нанесению покрытия SiC методом CVD на поверхность графита, керамики и других материалов, так что специальные газы, содержащие углерод и кремний, реагируют при высокой температуре с получением молекул SiC высокой чистоты, молекулы осаждаются на поверхности материалов с покрытием, образуя защитный слой SIC. Образованный SIC прочно связан с графитовой основой, придавая графитовой основе особые свойства, что делает поверхность графита компактной, непористой, устойчивой к высоким температурам, коррозионной стойкости и стойкости к окислению.
Процесс CVD обеспечивает чрезвычайно высокую чистоту и теоретическую плотность покрытия SiC без пористости. Более того, поскольку карбид кремния очень твердый, его можно отполировать до зеркальной поверхности. Покрытие CVD из карбида кремния (SiC) обеспечивает ряд преимуществ, включая сверхвысокую чистоту поверхности и исключительную износостойкость. Поскольку продукты с покрытием обладают отличными характеристиками в условиях высокого вакуума и высоких температур, они идеально подходят для применения в полупроводниковой промышленности и других сверхчистых средах. Мы также предлагаем продукцию из пиролитического графита (ПГ).
1. Устойчивость к высокотемпературному окислению:
Устойчивость к окислению по-прежнему очень хорошая, когда температура достигает 1600 С.
2. Высокая чистота: производится методом химического осаждения из паровой фазы в условиях высокотемпературного хлорирования.
3. Устойчивость к эрозии: высокая твердость, компактная поверхность, мелкие частицы.
4. Коррозионная стойкость: кислоты, щелочи, соли и органические реагенты.
| SiC-CVD | ||
| Плотность | (г/см3) | 3.21 |
| Прочность на изгиб | (МПа) | 470 |
| Тепловое расширение | (10-6/K) | 4 |
| Теплопроводность | (Вт/мК) | 300 |
-Покрытие из карбида кремния CVD уже применяется в полупроводниковой промышленности, например, в лотках MOCVD, RTP и камерах оксидного травления, поскольку нитрид кремния обладает высокой термостойкостью и может противостоять высокоэнергетической плазме.
-Карбид кремния широко используется в полупроводниках и покрытиях.
Возможность поставки:
10000 шт./шт. в месяц
Упаковка и доставка:
Упаковка: Стандартная и прочная упаковка
Полиэтиленовый пакет + коробка + коробка + поддон
Порт:
Нинбо/Шэньчжэнь/Шанхай
| Количество (штук) | 1 – 1000 | >1000 |
| Стандартное восточное время. Время (дни) | 30 | Для переговоров |
