Semicera предлагает специальную эпитаксию тонких пленок (карбида кремния) SiC на подложках для разработки устройств из карбида кремния. Weitai стремится предоставлять качественную продукцию по конкурентоспособным ценам, и мы надеемся стать вашим долгосрочным партнером в Китае.
Описание продукта
4h-n 4inch 6inch диаметр 100мм семенная пластина толщиной 1 мм для роста слитков
Размер по индивидуальному заказу / 2 дюйма / 3 дюйма / 4 дюйма / 6 дюймов 6H-N / 4H-SEMI / 4H-N слитки SIC / Высокочистые 4H-N 4 дюйма 6 дюймов диаметром 150 мм монокристаллические подложки из карбида кремния (sic) подложки S/Вырезанные по индивидуальному заказу пластины SIC Производство 4-дюймовых пластин 4H-N 1,5 мм SIC для затравочного кристалла
О кристалле карбида кремния (SiC)
Карбид кремния (SiC), также известный как карборунд, представляет собой содержащий кремний и углерод полупроводник с химической формулой SiC. Карбид кремния используется в устройствах полупроводниковой электроники, которые работают при высоких температурах или высоких напряжениях, или при том и другом. Карбид кремния также является одним из важных компонентов светодиодов, он является популярной подложкой для выращивания устройств на основе GaN, а также служит распределителем тепла в мощных светодиодах.
|
Свойство |
4H-SiC, монокристалл |
6H-SiC, монокристалл |
|
Параметры решетки |
а=3,076 Å c=10,053 Å |
а=3,073 Å c=15,117 Å |
|
Последовательность укладки |
АВСВ |
ABCACB |
|
Твердость по шкале Мооса |
≈9.2 |
≈9.2 |
|
Плотность |
3,21 г/см3 |
3,21 г/см3 |
|
Терм. Коэффициент расширения |
4-5×10-6/К |
4-5×10-6/К |
|
Индекс преломления @750 нм |
нет = 2,61 |
нет = 2,60 |
|
Диэлектрическая проницаемость |
около 9,66 |
около 9,66 |
|
Теплопроводность (тип N, 0,02 Ом·см) |
~4,2 Вт/см·К при 298 К |
|
|
Теплопроводность (полуизоляционная) |
a~4,9 Вт/см·К при 298 К |
~4,6 Вт/см·К при 298 К |
|
запрещенная зона |
3,23 эВ |
3,02 эВ |
|
Электрическое поле пробоя |
3-5×106 В/см |
3-5×106 В/см |
|
Скорость дрейфа насыщения |
2,0×105 м/с |
2,0×105 м/с |
