Кремний на изоляционной пластине

Пластина Silicon On Insulator (SOI) компании Semicera обеспечивает исключительную электрическую изоляцию и управление температурным режимом для высокопроизводительных приложений. Эти пластины, разработанные для обеспечения превосходной эффективности и надежности устройств, являются лучшим выбором для передовых полупроводниковых технологий. Выбирайте Semicera для получения передовых решений на пластинах SOI.

Пластина «кремний на изоляторе» (SOI) компании Semicera находится на переднем крае инноваций в области полупроводников, предлагая улучшенную электрическую изоляцию и превосходные тепловые характеристики. Структура КНИ, состоящая из тонкого слоя кремния на изолирующей подложке, обеспечивает важные преимущества для высокопроизводительных электронных устройств.

Наши пластины SOI предназначены для минимизации паразитной емкости и токов утечки, что важно для разработки высокоскоростных и маломощных интегральных схем. Эта передовая технология обеспечивает более эффективную работу устройств, повышенную скорость и снижение энергопотребления, что крайне важно для современной электроники.

Передовые производственные процессы, используемые Semicera, гарантируют производство пластин SOI с превосходной однородностью и стабильностью. Это качество жизненно важно для приложений в телекоммуникациях, автомобилестроении и бытовой электронике, где требуются надежные и высокопроизводительные компоненты.

В дополнение к своим электрическим преимуществам, пластины SOI компании Semicera обеспечивают превосходную теплоизоляцию, улучшая рассеивание тепла и стабильность в устройствах высокой плотности и высокой мощности. Эта функция особенно ценна в приложениях, которые предполагают значительное выделение тепла и требуют эффективного управления температурным режимом.

Выбирая кремниевую пластину на изоляторе Semicera, вы инвестируете в продукт, который поддерживает развитие передовых технологий. Наша приверженность качеству и инновациям гарантирует, что наши пластины SOI отвечают строгим требованиям современной полупроводниковой промышленности, обеспечивая основу для электронных устройств следующего поколения.

Предметы

Производство

Исследовать

Дурачок

Параметры кристалла

Политип

4H

Ошибка ориентации поверхности

<11-20 >4±0.15°

Электрические параметры

легирующая примочка

Азот n-типа

Удельное сопротивление

0,015-0,025 Ом·см

Механические параметры

Диаметр

150,0±0,2 мм

Толщина

350±25 мкм

Первичная плоская ориентация

[1-100]±5°

Первичная плоская длина

47,5±1,5 мм

Вторичная квартира

Никто

ТТВ

≤5 мкм

≤10 мкм

≤15 мкм

Общая ценность

≤3 мкм(5мм*5мм)

≤5 мкм(5мм*5мм)

≤10 мкм(5мм*5мм)

Поклон

-15 мкм ~ 15 мкм

-35 мкм ~ 35 мкм

-45 мкм ~ 45 мкм

Деформация

≤35 мкм

≤45 мкм

≤55 мкм

Шероховатость передней поверхности (Si-face) (AFM)

Ra≤0,2 нм (5 мкм*5 мкм)

Структура

Плотность микротрубок

&lt;1 шт./см2

&lt;10 шт/см2

&lt;15 шт/см2

Металлические примеси

≤5E10atoms/cm2

NA

БЛД

≤1500 шт/см2

≤3000 шт/см2

NA

ТСД

≤500 шт/см2

≤1000 шт/см2

NA

Переднее качество

Передний

Си

Чистота поверхности

Si-лицо CMP

Частицы

≤60 шт/пластина (размер ≥0,3 мкм)

NA

Царапины

≤5 шт./мм. Совокупная длина ≤Диаметр

Совокупная длина≤2*диаметр

NA

Апельсиновая корка/косточки/пятна/бороздки/трещины/загрязнения

Никто

NA

Краевые сколы/вмятины/изломы/шестигранные пластины

Никто

Политипные области

Никто

Совокупная площадь≤20%

Совокупная площадь≤30%

Передняя лазерная маркировка

Никто

Назад Качество

Задняя отделка

C-образная грань CMP

Царапины

≤5 шт./мм, совокупная длина≤2*диаметр

NA

Дефекты задней стороны (сколы/вмятины по краям)

Никто

Задняя шероховатость

Ra≤0,2 нм (5 мкм*5 мкм)

Задняя лазерная маркировка

1 мм (от верхнего края)

Край

Край

Фаска

Упаковка

Упаковка

Эпи-готовность в вакуумной упаковке

Многовафельная кассетная упаковка

*Примечания: «NA» означает отсутствие запроса. Неуказанные элементы могут относиться к SEMI-STD.

tech_1_2_size

SiC пластины

Новостная рассылка

С нетерпением ждем вашего контакта с нами