半导体晶体生长的三丁基坩埚

半导体晶体生长的半石墨三叶坩埚是为最苛刻的半导体应用而设计的。我们的坩埚具有先进的等静力石墨组件,可确保出色的高温性能和优质的耐腐蚀性。独特的三瓣设计增强了均匀晶体生长和最佳结果的热导率。我们期待在中国成为您的长期合作伙伴。

 

半导体晶体生长的三丁基坩埚:由高纯度原材料制成并通过精确技术制造,具有出色的高温耐药性,耐腐蚀性和导热性。在高温使用期间,热膨胀系数很小,并且具有一定的抗性,可抵抗快速加热和冷却。它对酸和碱性溶液具有较强的耐腐蚀性以及出色的化学稳定性。

在Semicera的产品线中,我们引入了用于半导体晶体生长的等静力石墨组件。

在Semicera,我们优先考虑质量和创新。我们的坩埚覆盖了 CVD SIC,这大大提高了其耐用性和寿命。这种尖端的涂层进一步增强了对严峻的化学环境的抵抗力,使其成为半导体制造的最终选择。

为了满足半导体行业对精确晶体增长的要求的要求,我们已经使用了先进的材料过程来确保 石墨三丁基坩埚 在不同的环境中表现良好。该产品不仅带有Semicera品牌名称,而且还反映了我们对技术创新和卓越质量的承诺。

石墨三丁基坩埚不仅具有独创性,而且还经过严格的质量控制和测试,以确保每种产品都符合最高标准。无论是在实验室研究还是工业应用中,我们的石墨三丁香坩埚都可以稳定而可靠地表现,以帮助您实现更高水平的半导体晶体生长。

当您从Semicera中选择石墨三丁基坩埚时,您不仅可以获得出色的性能,还可以信任创新技术。现在体验我们的产品,并体验出色的质量带来的无尽可能性!

半导体的主要粒子是半导体中使用的石墨。世界上最先进的德国SGL和日本丰欧碳产品的基本信息如下:

性能参数 分号 SGL R6510 Toyo IG310
散装密度(g/cm3)

1.91

1.83

1.85

弯曲强度(MPA)

8-10

60

49

抗压强度(MPA)

135

130

103

岸硬度(HS)

70

64

60

导热率(w/m·k)

85

105

130

热膨胀系数(10-6/k)

5.85

4.2

5.0

电阻率(μΩm)

11-13

13

10

性能优势:
1.结构很好且密集,均匀性很好。
2.热膨胀的高系数,出色的热冲击性;
3.Isotropy;
4.抗性化学耐药性;
5,热电导率良好;
6.它具有出色的加工属性。

当代工业的关键基本材料
1。半导体行业
2。太阳能行业
3。航空业
4。核工业

半静态压力石墨项目,已经通过质量生产来获得高密度,高纯度,高强度,大尺寸石墨产物

等静力石墨组件(1)等静力石墨组件(5)
ASDF
SCDFV
 

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