Gallium nitride (GaN), like silicon carbide (SiC) materials, belongs to the third generation of semiconductor materials with wide band gap width, with large band gap width, high thermal conductivity, high electron saturation migration rate, and high breakdown electric field outstanding characteristics.GaN devices have a wide range of application prospects in high frequency, high speed and high power demand fields such as LED energy-saving lighting, laser projection display, new energy vehicles, smart grid, 5G communication.
تشمل مواد أشباه الموصلات الجيل الثالث بشكل أساسي SIC ، GAN ، Diamond ، إلخ ، لأن عرض فجوة النطاق (EG) أكبر من أو يساوي 2.3 فولت الإلكترون (EV) ، والمعروف أيضًا باسم مواد أشباه الموصلات الفجوة على نطاق واسع. مقارنةً بمواد أشباه الموصلات من الجيل الأول والثاني ، فإن مواد أشباه الموصلات الجيل الثالث لها مزايا الموصلية الحرارية العالية ، والجقل الكهربائي العالي ، ومعدل ترحيل الإلكترون المشبع المرتفع ، وارتفاع طاقة الترابط ، والتي يمكن أن تلبي المتطلبات الجديدة للتكنولوجيا الإلكترونية الحديثة لدرجة الحرارة المرتفعة ، والضغط العالي ، وارتفاع التردد ، وظروف الإشعاع وغيرها من الحالات. لديها آفاق تطبيق مهمة في مجالات الدفاع الوطني ، الطيران ، الفضاء ، استكشاف النفط ، التخزين البصري ، وما إلى ذلك ، ويمكن أن تقلل من فقدان الطاقة بأكثر من 50% في العديد من الصناعات الاستراتيجية مثل اتصالات النطاق العريض ، والطاقة الشمسية ، والسيارات المصنعة للتكنولوجيا.
|
Item 项目 |
GaN-FS-C-U-C50 |
GaN-FS-C-N-C50 |
GaN-FS-C-SI-C50 |
|
قطر |
50.8 ± 1 mm |
||
|
سماكة厚度 |
350 ± 25 μm |
||
|
Orientation |
C plane (0001) off angle toward M-axis 0.35 ± 0.15° |
||
|
Prime Flat |
(1-100) 0 ± 0.5°, 16 ± 1 mm |
||
|
شقة ثانوية |
(11-20) 0 ± 3°, 8 ± 1 mm |
||
|
Conductivity |
N-type |
N-type |
Semi-Insulating |
|
Resistivity (300K) |
< 0.1 Ω·cm |
< 0.05 Ω·cm |
> 106 Ω·cm |
|
TTV |
≤ 15 μm |
||
|
BOW |
≤ 20 μm |
||
|
Ga Face Surface Roughness |
< 0.2 nm (polished); |
||
|
or < 0.3 nm (polished and surface treatment for epitaxy) |
|||
|
N Face Surface Roughness |
0.5 ~1.5 μm |
||
|
option: 1~3 nm (fine ground); < 0.2 nm (polished) |
|||
|
Dislocation Density |
From 1 x 105 to 3 x 106 cm-2 (calculated by CL)* |
||
|
Macro Defect Density |
< 2 cm-2 |
||
|
Useable Area |
> 90% (edge and macro defects exclusion) |
||
|
Can be customized according to customer requirements, different structure of silicon, sapphire, SiC based GaN epitaxial sheet. |
|||
