Semicera’s Silicon On Insulator (SOI) Wafer provides exceptional electrical isolation and thermal management for high-performance applications. Engineered to deliver superior device efficiency and reliability, these wafers are a prime choice for advanced semiconductor technology. Choose Semicera for cutting-edge SOI wafer solutions.
Semicera’s Silicon On Insulator (SOI) Wafer is at the forefront of semiconductor innovation, offering enhanced electrical isolation and superior thermal performance. The SOI structure, consisting of a thin silicon layer on an insulating substrate, provides critical benefits for high-performance electronic devices.
Our SOI wafers are designed to minimize parasitic capacitance and leakage currents, which is essential for developing high-speed and low-power integrated circuits. This advanced technology ensures that devices operate more efficiently, with improved speed and reduced energy consumption, crucial for modern electronics.
The advanced manufacturing processes employed by Semicera guarantee the production of SOI wafers with excellent uniformity and consistency. This quality is vital for applications in telecommunications, automotive, and consumer electronics, where reliable and high-performing components are required.
In addition to their electrical benefits, Semicera’s SOI wafers offer superior thermal insulation, enhancing heat dissipation and stability in high-density and high-power devices. This feature is particularly valuable in applications that involve significant heat generation and require effective thermal management.
By choosing Semicera’s Silicon On Insulator Wafer, you invest in a product that supports the advancement of cutting-edge technologies. Our commitment to quality and innovation ensures that our SOI wafers meet the rigorous demands of today’s semiconductor industry, providing the foundation for next-generation electronic devices.
أغراض |
إنتاج |
بحث |
دمية |
المعلمات البلورية |
|||
polytype |
4H |
||
خطأ في اتجاه السطح |
4±0.15° |
||
المعلمات الكهربائية |
|||
Dopant |
نيتروجين من النوع |
||
المقاومة |
0.015-0.025OHM · سم |
||
المعلمات الميكانيكية |
|||
قطر |
150.0 ± 0.2mm |
||
سماكة |
350 ± 25 ميكرون |
||
الاتجاه المسطح الأولي |
[1-100]±5° |
||
طول مسطح أساسي |
47.5 ± 1.5mm |
||
شقة ثانوية |
لا أحد |
||
TTV |
≤5 ميكرون |
≤10 ميكرون |
≤15 ميكرون |
LTV |
≤3 ميكرون (5 ملم*5 ملم) |
≤5 ميكرون (5 ملم*5 ملم) |
≤10 ميكرون (5 ملم*5 ملم) |
قَوس |
-15μm ~ 15μm |
-35μm ~ 35μm |
-45μm ~ 45μm |
الاعوجاج |
≤35 ميكرون |
≤45 ميكرون |
≤55 ميكرون |
الخشونة الأمامية (si-face) (AFM) |
Ra≤0.2nm (5μm*5μm) |
||
بناء |
|||
كثافة micropipe |
<1 EA/CM2 |
<10 EA/CM2 |
<15 EA/CM2 |
الشوائب المعدنية |
≤5E10atoms/cm2 |
نا |
|
BPD |
≤1500 EA/CM2 |
≤3000 EA/CM2 |
نا |
TSD |
≤500 EA/CM2 |
≤1000 EA/CM2 |
نا |
الجودة الأمامية |
|||
أمام |
سي |
||
الانتهاء من السطح |
Si-Face CMP |
||
الجزيئات |
≤60A/WEFR (SIZE 30.3μM) |
نا |
|
الخدوش |
≤5ea/مم. الطول التراكمي ≤Diameter |
الطول التراكمي ≤2*القطر |
نا |
قشر البرتقال/الحفر/البقع/الدماغ/الشقوق/التلوث |
لا أحد |
نا |
|
رقائق الحافة/المسافات البادئة/الكسر/الألواح السداسية |
لا أحد |
||
المناطق polytype |
لا أحد |
منطقة تراكمية 20% |
التراكمية منطقة ≤30% |
وضع علامة ليزر الأمامية |
لا أحد |
||
جودة الظهر |
|||
الانتهاء من الظهر |
C-Face CMP |
||
الخدوش |
≤5EA/MM ، الطول التراكمي ≤2*القطر |
نا |
|
عيوب الظهر (رقائق الحافة/المسافات البادئة) |
لا أحد |
||
خشونة الظهر |
Ra≤0.2nm (5μm*5μm) |
||
عودة ليزر العلامات |
1 مم (من الحافة العليا) |
||
حافة |
|||
حافة |
شامفر |
||
التغليف |
|||
التغليف |
جاهز لـ EPI مع تغليف فراغ عبوات الكاسيت متعددة الفرس |
||
*الملاحظات : "NA" تعني عدم وجود عناصر طلب لم يتم ذكرها قد تشير إلى Semi. |