مادة الحقل الحراري لنمو بلورات كربيد السيليكون - كربيد التنتالوم المسامي

يستخدم كربيد tantalum المسامي بشكل أساسي لترشيح مكونات طور الغاز ، وضبط التدرج المحلي لدرجة الحرارة ، واتجاه تدفق المواد التوجيهية ، والتحكم في التسرب ، وما إلى ذلك. يمكن استخدامه مع كربيد tantalum صلب آخر (مضغوط) أو طلاء كربيد tantalum من تقنية semicera لتشكيل مكونات مختلفة تدفق.         

يوفر Semicera الطلاءات المتخصصة في Tantalum Carbide (TAC) لمختلف المكونات والناقلات.      Semicera leading coating process enables tantalum carbide (TaC) coatings to achieve high purity, high temperature stability and high chemical tolerance, improving product quality of SIC/GAN crystals and EPI layers (Graphite coated TaC susceptor), and extending the life of key reactor components. The use of tantalum carbide TaC coating is to solve the edge problem and improve the quality of crystal growth, and Semicera has breakthrough solved the tantalum carbide coating technology (CVD), reaching the international advanced level.

 

After years of development, Semicera has conquered the technology of CVD TaC with the joint efforts of the R&D department. Defects are easy to occur in the growth process of SiC wafers, but after using TaC, the difference is significant. Below is a comparison of wafers with and without TaC, as well as Semicera’ parts for single crystal growth 

b917b6b4-7572-47fe-9074-24d33288257c

جزء TAC للنمو الكريستال الفردي  

محمية Carbide Tantalum antiear -carbide_ تحمي المعدات من التآكل والتآكل المميز صورة  

الجرافيت مع حلقة المغلفة TAC 

微信图片_20240227150045

مع وبدون تاك

微信图片_20240227150053

بعد استخدام TAC (يمين)   

بالإضافة إلى ذلك ، فإن عمر خدمة منتجات طلاء TAC في Semicera أطول وأكثر مقاومة لدرجات الحرارة العالية من تلك الخاصة بالطلاء. بعد فترة طويلة من بيانات القياس المختبري ، يمكن أن تعمل TAC لدينا لفترة طويلة بحد أقصى 2300 درجة مئوية. فيما يلي بعض عيناتنا:        

3 (2)

TAC المغلفة SOSSOPSOR  

تقنية طلاء كربيد التنتالوم المبتكرة - تعزيز صلابة المواد ومقاومة درجة الحرارة العالية

الجرافيت مع مفاعل TAC المطلي  

微信截图_20240227145010

(أ) مخطط تخطيطي لجهاز زراعة السندات الكريستالية الفردية SIC بواسطة طريقة PVT (ب) قوس البذور المطلية TAC TAC (بما في ذلك بذرة SIC) (C) حلقة دليل الجرافيت المغلفة TAC              

ZDFVZCFV

الميزة الرئيسية

مكان عمل semicera 

مكان عمل semicera 2 

آلة المعدات

معالجة CNN ، التنظيف الكيميائي ، طلاء CVD   

خدمتنا

Newletter

نتطلع إلى اتصالك معنا