Der planetarische Suszeptor der ALD Atomic Layer Deposition von Semicera ist für eine präzise und gleichmäßige Dünnfilmabscheidung in der Herstellung von Halbleiter ausgelegt. Die robusten Konstruktion und fortschrittlichen Materialien sorgen für eine hohe Leistung und Langlebigkeit. Semiceras Susceceptor verbessert die Ablagerungsqualität und die Prozesseffizienz und macht es zu einer wesentlichen Komponente für hochmoderne ALD-Anwendungen.
Atomic Layer Deposition (ALD) ist eine chemische Dampfabscheidungstechnologie, die dünne Filmeschicht für Schicht wächst, indem zwei oder mehr Vorläufermoleküle injiziert werden. ALD hat die Vorteile von hoher Kontrolle und Gleichmäßigkeit und kann in Halbleitergeräten, optoelektronischen Geräten, Energiespeichergeräten und anderen Feldern häufig eingesetzt werden. Die Grundprinzipien von ALD umfassen die Adsorption der Vorläufer, die Oberflächenreaktion und die Nebenproduktentfernung, und mehrschichtige Materialien können gebildet werden, indem diese Schritte in einem Zyklus wiederholt werden. ALD hat die Merkmale und Vorteile von hoher Kontrolle, Gleichmäßigkeit und nicht-poröser Struktur und kann zur Ablagerung einer Vielzahl von Substratmaterialien und verschiedenen Materialien verwendet werden.
ALD hat die folgenden Eigenschaften und Vorteile:
1. hohe Kontrollierbarkeit: Da ALD ein Schicht-für-Schicht-Wachstumsprozess ist, kann die Dicke und Zusammensetzung jeder Materialschicht genau kontrolliert werden.
2. Gleichmäßigkeit: ALD kann Materialien auf der gesamten Substratoberfläche gleichmäßig ablegen, um die Unebenheit zu vermeiden, die bei anderen Abscheidungstechnologien auftreten kann.
3.. Nicht-Poröse Struktur: Da ALD in Einheiten von einzelnen Atomen oder Einzelmolekülen abgelagert ist, hat der resultierende Film normalerweise eine dichte, nicht-poröse Struktur.
4.. Gute Abdeckungsleistung: ALD kann effektiv hohe Aspektverhältnisstrukturen wie Nanopore -Arrays, Materialien mit hoher Porosität usw. abdecken.
5. Skalierbarkeit: ALD kann für eine Vielzahl von Substratmaterialien verwendet werden, darunter Metalle, Halbleiter, Glas usw.
6. Vielseitigkeit: Durch die Auswahl verschiedener Vorläufermoleküle kann eine Vielzahl verschiedener Materialien im ALD -Prozess abgelagert werden, wie Metalloxide, Sulfide, Nitriden usw.
