Porous tantalum carbide is mainly used for gas phase component filtration, adjusting local temperature gradient, guiding material flow direction, controlling leakage, etc. It can be used with another solid tantalum carbide (compact) or tantalum carbide coating from Semicera Technology to form local components with different flow conductance.
Semicera bietet spezielle Tantal -Carbid -Beschichtungen (TAC) für verschiedene Komponenten und Träger. Das führende Beschichtungsprozess von Semizera ermöglicht Tantal -Carbid (TAC) -Hellbeschichtungen, um eine hohe Reinheit, hohe Temperaturstabilität und hohe chemische Toleranz zu erzielen, die Produktqualität von SIC/GaN -Kristallen und EPI -Schichten zu verbessern (SchichtenGraphitbeschichtete TAC -Suszeptor) und die Lebensdauer von Schlüsselreaktorkomponenten verlängern. Die Verwendung von Tantal -Carbid -TAC -Beschichtung besteht darin, das Edgeproblem zu lösen und die Qualität des Kristallwachstums zu verbessern. Semizera hat den Durchbruch die Tantal -Carbidbeschichtungstechnologie (CVD) durch einen Durchbruch und erreicht das internationale Fortgeschrittenen.
After years of development, Semicera has conquered the technology of CVD TaC with the joint efforts of the R&D department. Defects are easy to occur in the growth process of SiC wafers, but after using TaC, the difference is significant. Below is a comparison of wafers with and without TaC, as well as Semicera’ parts for single crystal growth
In addition, the service life of Semicera’s TaC coating products is longer and more resistant to high temperature than that of SiC coating. After a long time of laboratory measurement data, our TaC can work for a long time at a maximum of 2300 degrees Celsius. The following are some of our samples:
