The TaC Coated Deep UV LED MOCVD Graphite Susceptor by Semicera is designed for superior performance in MOCVD epitaxy applications. Manufactured in China, it offers enhanced durability and higher temperature resistance, making it ideal for demanding conditions. Semicera’s advanced coating technology ensures reliable and efficient operation, supporting high-quality Deep UV LED production.
TaC coated deep ultraviolet LED graphite base refers to the process of improving the performance and stability of the device by depositing a TAC -Beschichtung on the graphite base during the preparation of the deep ultraviolet LED device. This coating can improve the heat dissipation performance, high temperature resistance and oxidation resistance of the device, thereby improving the efficiency and reliability of the LED device. Deep ultraviolet LED devices are usually used in some special fields, such as disinfection, light curing, etc., which have high requirements for the stability and performance of the device. The application of TaC coated graphite base can effectively enhance the durability and performance of the device, providing important support for the development of deep ultraviolet LED technology.
Semicera bietet spezielle Tantal -Carbid -Beschichtungen (TAC) für verschiedene Komponenten und Träger. Das führende Beschichtungsprozess von Semizera ermöglicht Tantal -Carbid (TAC) -Hellbeschichtungen, um eine hohe Reinheit, hohe Temperaturstabilität und hohe chemische Toleranz zu erzielen, die Produktqualität von SIC/GaN -Kristallen und EPI -Schichten zu verbessern (SchichtenGraphitbeschichtete TAC -Suszeptor) und die Lebensdauer von Schlüsselreaktorkomponenten verlängern. Die Verwendung von Tantal -Carbid -TAC -Beschichtung besteht darin, das Edgeproblem zu lösen und die Qualität des Kristallwachstums zu verbessern. Semizera hat den Durchbruch die Tantal -Carbidbeschichtungstechnologie (CVD) durch einen Durchbruch und erreicht das internationale Fortgeschrittenen.
After years of development, Semicera has conquered the technology of CVD TaC with the joint efforts of the R&D department. Defects are easy to occur in the growth process of SiC wafers, but after using TaC, the difference is significant. Below is a comparison of wafers with and without TaC, as well as Simicera’ parts for single crystal growth.
Außerdem, Semicera TAC-beschichtete Produkte zeigen eine längere Lebensdauer und einen größeren Widerstand mit hohem Temperatur im Vergleich zu SiC -Beschichtungen. Labormessungen haben gezeigt, dass unsere TAC -Beschichtungen kann bei Temperaturen von bis zu 2300 Grad Celsius für längere Perioden konsequent funktionieren. Im Folgenden finden Sie einige Beispiele für unsere Proben:
