O chuck de vácuo de carboneto de silício e o braço de manuseio de wafer são formados por processo de prensagem isostática e sinterização de alta temperatura. As dimensões externas, a espessura e as formas podem ser concluídas de acordo com os desenhos de design do usuário para atender aos requisitos específicos do usuário.
Braço de manuseio de bolacha é um equipamento -chave usado no processo de fabricação de semicondutores para lidar, transferir e posicionar bolachas. Geralmente consiste em um braço robótico, uma pinça e um sistema de controle, com recursos precisos de movimento e posicionamento. Wafer manuseando braços são amplamente utilizados em vários links na fabricação de semicondutores, incluindo etapas de processo, como carregamento de wafer, limpeza, deposição de filmes finos, gravura, litografia e inspeção. Suas capacidades de precisão, confiabilidade e automação são essenciais para garantir a qualidade, eficiência e consistência do processo de produção.
As principais funções do braço de manuseio de bolacha incluem:
1. Transferência de wafer: O braço de manuseio de bolacha é capaz de transferir com precisão as bolachas de um local para outro, como levar as bolachas de um rack de armazenamento e colocá -las em um dispositivo de processamento.
2. Posicionamento e orientação: o braço de manuseio de bolacha é capaz de posicionar e orientar com precisão a bolacha para garantir o alinhamento e a posição corretos para as operações subsequentes de processamento ou medição.
3. Apertação e liberação: os braços de manuseio de bolacha geralmente estão equipados com garras que podem prender as bolachas com segurança e liberá -las quando necessário para garantir transferência e manuseio seguros de bolachas.
4 Controle automatizado: O braço de manuseio de bolacha está equipado com um sistema de controle avançado que pode executar automaticamente sequências de ação predeterminadas, melhorar a eficiência da produção e reduzir os erros humanos.
Características e vantagens
1.Precise Dimensões e estabilidade térmica.
2. Alta rigidez específica e excelente uniformidade térmica, o uso a longo prazo não é fácil de dobrar a deformação.
3. Tem uma superfície lisa e boa resistência ao desgaste, manuseando com segurança o chip sem contaminação por partículas.
4. Resistividade de carboneto de silício em 106-108Ω, não magnético, de acordo com os requisitos de especificação anti-ESD; Pode impedir o acúmulo de eletricidade estática na superfície do chip.
5. Boa condutividade térmica, baixo coeficiente de expansão.
