Silicon Carbide Vacuum Chuck and Wafer Handling Arm is formed by isostatic pressing process and high temperature sintering. The external dimensions, thickness and shapes can be finished according to the user’s design drawings to meet the user’s specific requirements.
Wafer handling arm is a key equipment used in the semiconductor manufacturing process to handle, transfer and position wafers. It usually consists of a robotic arm, a gripper and a control system, with precise movement and positioning capabilities. Wafer handling arms are widely used in various links in semiconductor manufacturing, including process steps such as wafer loading, cleaning, thin film deposition, etching, lithography and inspection. Its precision, reliability and automation capabilities are essential to ensure the quality, efficiency and consistency of the production process.
As principais funções do braço de manuseio de bolacha incluem:
1. Transferência de wafer: O braço de manuseio de bolacha é capaz de transferir com precisão as bolachas de um local para outro, como levar as bolachas de um rack de armazenamento e colocá -las em um dispositivo de processamento.
2. Posicionamento e orientação: o braço de manuseio de bolacha é capaz de posicionar e orientar com precisão a bolacha para garantir o alinhamento e a posição corretos para as operações subsequentes de processamento ou medição.
3. Apertação e liberação: os braços de manuseio de bolacha geralmente estão equipados com garras que podem prender as bolachas com segurança e liberá -las quando necessário para garantir transferência e manuseio seguros de bolachas.
4 Controle automatizado: O braço de manuseio de bolacha está equipado com um sistema de controle avançado que pode executar automaticamente sequências de ação predeterminadas, melhorar a eficiência da produção e reduzir os erros humanos.
Características e vantagens
1.Precise Dimensões e estabilidade térmica.
2. Alta rigidez específica e excelente uniformidade térmica, o uso a longo prazo não é fácil de dobrar a deformação.
3. Tem uma superfície lisa e boa resistência ao desgaste, manuseando com segurança o chip sem contaminação por partículas.
4.Silicon carbide resistivity in 106-108Ω, non-magnetic, in line with anti-ESD specification requirements; It can prevent the accumulation of static electricity on the surface of the chip.
5. Boa condutividade térmica, baixo coeficiente de expansão.
