SOI пластины

Пластина КНИ представляет собой трехслойную структуру, похожую на сэндвич; Включая верхний слой (слой устройства), середину слоя скрытого кислорода (для изолирующего слоя SiO2) и нижнюю подложку (объемный кремний). КНИ-пластины производятся с использованием метода SIMOX и технологии сварки пластин, что позволяет получить более тонкие и точные слои устройства, равномерную толщину и низкую плотность дефектов.

SOI пластины(1)

Область применения

1. Высокоскоростная интегральная схема

2. Микроволновые устройства

3. Высокотемпературная интегральная схема.

4. Силовые устройства

5. Интегральная схема малой мощности.

6. МЭМС

7. Интегральная схема низкого напряжения.

Элемент

Аргумент

Общий

Диаметр пластины
Размер пластины (мм)

50/75/100/125/150/200мм±25ум

Лук/Деформация
Коробление (

<10 мкм

Частицы
Детализация (

0,3 мкм<30 шт.

Плоские/Выемка
Позиционирующий край/позиционирующий паз

Плоский или вырез

Исключение краев
Удаление кромки (мм)

/

Уровень устройства
уровень устройства

Тип слоя устройства/легирующая добавка
Тип легирования слоя устройства

Тип N/Тип P
Б/П/Сб/Ас

Ориентация на уровне устройства
Ориентация кристалла слоя устройства

<1-0-0> / <1-1-1> / <1-1-0>

Толщина слоя устройства
Толщина слоя устройства (мкм)

0,1~300 мкм

Сопротивление уровня устройства
Удельное сопротивление слоя устройства (Ом·см)

0,001~100 000 Ом·см

Частицы уровня устройства
Детализация уровня устройства (

&lt;30ea@0,3

Уровень устройства TTV
Уровень устройства TTV (

&lt;10 мкм

Отделка уровня устройства
Обработка поверхности слоя устройства

Полированный

КОРОБКА

Толщина скрытого термического оксида
Толщина скрытого оксидного слоя (мкм)

50 нм (500 Å) ~ 15 мкм

Слой ручки
субстрат

Ручка Тип пластины/легирующая добавка
Тип подложки

Тип N/Тип P
Б/П/Сб/Ас

Ручка ориентации пластины
Ориентация кристаллов подложки

<1-0-0> / <1-1-1> / <1-1-0>

Ручка Сопротивление пластины
Удельное сопротивление подложки (Ом·см)

0,001~100 000 Ом·см

Толщина пластины ручки
Толщина подложки (мкм)

&gt;100 мкм

Ручка вафельная отделка
Обработка поверхности основания

Полированный

Пластины SOI целевых характеристик могут быть настроены в соответствии с требованиями заказчика.

Обработка CNN, химическая очистка, покрытие CVD

Новостная рассылка

С нетерпением ждем вашего контакта с нами