Пластина КНИ представляет собой трехслойную структуру, похожую на сэндвич; Включая верхний слой (слой устройства), середину слоя скрытого кислорода (для изолирующего слоя SiO2) и нижнюю подложку (объемный кремний). КНИ-пластины производятся с использованием метода SIMOX и технологии сварки пластин, что позволяет получить более тонкие и точные слои устройства, равномерную толщину и низкую плотность дефектов.

Область применения
1. Высокоскоростная интегральная схема
2. Микроволновые устройства
3. Высокотемпературная интегральная схема.
4. Силовые устройства
5. Интегральная схема малой мощности.
6. МЭМС
7. Интегральная схема низкого напряжения.
|
Элемент |
Аргумент |
|
|
Общий |
Диаметр пластины |
50/75/100/125/150/200мм±25ум |
|
Лук/Деформация |
<10 мкм |
|
|
Частицы |
0,3 мкм<30 шт. |
|
|
Плоские/Выемка |
Плоский или вырез |
|
|
Исключение краев |
/ |
|
|
Уровень устройства |
Тип слоя устройства/легирующая добавка |
Тип N/Тип P |
|
Ориентация на уровне устройства |
<1-0-0> / <1-1-1> / <1-1-0> |
|
|
Толщина слоя устройства |
0,1~300 мкм |
|
|
Сопротивление уровня устройства |
0,001~100 000 Ом·см |
|
|
Частицы уровня устройства |
<30ea@0,3 |
|
|
Уровень устройства TTV |
<10 мкм |
|
|
Отделка уровня устройства |
Полированный |
|
|
КОРОБКА |
Толщина скрытого термического оксида |
50 нм (500 Å) ~ 15 мкм |
|
Слой ручки |
Ручка Тип пластины/легирующая добавка |
Тип N/Тип P |
|
Ручка ориентации пластины |
<1-0-0> / <1-1-1> / <1-1-0> |
|
|
Ручка Сопротивление пластины |
0,001~100 000 Ом·см |
|
|
Толщина пластины ручки |
>100 мкм |
|
|
Ручка вафельная отделка |
Полированный |
|
|
Пластины SOI целевых характеристик могут быть настроены в соответствии с требованиями заказчика. |
||
