Покрытие TaC представляет собой новое поколение высокотемпературного материала с лучшей стабильностью при высоких температурах, чем SiC, служит коррозионно-стойким, окислительно-стойким и износостойким покрытием, может использоваться в среде выше 2000 ℃, широко используется в аэрокосмических сверхвысоких температурах горячих частей, третьем поколении выращивания монокристаллов полупроводников и других областях.
Semicera предлагает специализированные покрытия из карбида тантала (TaC) для различных компонентов и носителей. Передовой процесс нанесения покрытий Semicera позволяет покрытиям из карбида тантала (TaC) достигать высокой чистоты, высокой температурной стабильности и высокой химической стойкости, улучшая качество продукции кристаллов SIC/GAN и слоев EPI (токоприемник TaC с графитовым покрытием) и продлевая срок службы ключевых компонентов реактора. Использование покрытия TaC из карбида тантала призвано решить проблему кромок и улучшить качество роста кристаллов, а компания Semicera совершила прорыв в технологии покрытия из карбида тантала (CVD), достигнув международного передового уровня.
После многих лет разработок, совместными усилиями отдела исследований и разработок, компания Semicera освоила технологию CVD TaC. Дефекты легко возникают в процессе роста пластин SiC, но после использования TaC разница значительна. Ниже приведено сравнение пластин с TaC и без него, а также деталей Semicera для выращивания монокристаллов.
Кроме того, срок службы продуктов с покрытием TaC компании Semicera дольше и более устойчив к высоким температурам, чем у покрытий SiC. После длительного периода лабораторных измерений наш TaC может долго работать при температуре максимум 2300 градусов по Цельсию. Ниже приведены некоторые из наших образцов:
